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70V7519S133BFI8

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 3.15伏~3.45伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 208-CABGA (15x15)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 133兆赫
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 存储格式 SRAM
  • 访达时期 4.2纳秒
  • 存储容量 9Mb(256K x 36)
  • 技术 SRAM-双端口,同步
  • 电源电压 3.15伏~3.45伏
  • 包装/外壳 208磅
  • 供应商设备包装 208-CABGA (15x15)

70V7519S133BFI8 产品详情

The 70V7519S133BFI8 is a high-speed 256K x 36 (9Mbit) synchronous Bank-Switchable Dual-Ported SRAM is organized into 64 independent 4Kx36 banks and has two independent ports with separate control, address, and I/O pins for each port, allowing each port to access any 4Kx36 memory block not already accessed by the other port. An automatic power down feature, controlled by CE0 and CE1, permits the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.

Feature

  • Bank access controlled via bank address pins
  • Selectable Pipelined or Flow-Through output mode
  • Counter enable and repeat features
  • Dual chip enables allow for depth expansion without additional logic
  • Full synchronous operation on both ports
  • Separate byte controls for multiplexed bus and bus matching compatibility
  • LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply for core
  • LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V (±100mV) power supply for I/Os and control signals on each port
  • Available in a 208-pin PQFP, 208-pin fpBGA, and 256-pin BGA packages
  • Includes JTAG functionality
  • Industrial temperature range (-40C to +85C) is available


70V7519S133BFI8所属分类:存储器,70V7519S133BFI8 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。70V7519S133BFI8价格参考¥1490.425130,你可以下载 70V7519S133BFI8中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询70V7519S133BFI8规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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