Feature
- 64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
- One Chip Select plus one Output Enable pin
- Bidirectional data inputs and outputs directly LVTTL-compatible
- Low power consumption via chip deselect
- Upper and Lower Byte Enable Pins
71V016SA10PHG
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.15伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II
- 品牌: IDT公司 (IDT)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 205
- 库存: 0
- 单价: ¥10.64706
-
数量:
- +
- 总计: ¥2,182.65
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Volatile
- 储存接口 并联
- 安装类别 表面安装
- 时钟频率 -
- 存储格式 SRAM
- 技术 SRAM-异步
- 工作温度 0摄氏度~70摄氏度（TA）
- 单字、单页写入耗时 10ns
- 访达时期 10纳秒
- 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
- 供应商设备包装 44-TSOP II
- 存储容量 1Mb (64K x 16)
- 电源电压 3.15伏~3.6伏
- 制造厂商 IDT公司 (IDT)
71V016SA10PHG 产品详情
The IDT71V016SA10PHG is a 1,048,576-bit high-speed Static RAM organized as 64K x 16. It is fabricated using high-perfomance, high-reliability CMOS technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed memory needs. The IDT71V016SA10PHG has an output enable pin which operates as fast as 5ns, with address access times as fast as 10ns. All bidirectional inputs and outputs of the IDT71V016SA10PHG are LVTTL compatible and operation is from a single 3.3V supply.
71V016SA10PHG 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 71VN3680DQ30K | 基美 (AC) | 0 68 U 520VV | ¥0.6846 |
| 71VI33304030K | 基美 (AC) | .033UF 520V | ¥1.81073 |
 | 71V65703S75PFI | IDT公司 (IDT) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥43.4574 |
 | 71V67603ZS133PF | IDT公司 (IDT) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥43.4574 |
 | 71V3557S85PF | IDT公司 (IDT) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥14.55823 |
 | 71V3558XS133PFG | IDT公司 (IDT) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥14.55823 |
 | 71V3579YS85PFG | IDT公司 (IDT) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥14.55823 |
 | 71V3577YS85PFG | IDT公司 (IDT) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (128K x 36) 电源电压: 3.135V~3.465V 时钟频率: 87 MHz 供应商设备包装: 100-TQFP（14x20） | ¥14.55823 |
 | 71V3559S85PF | IDT公司 (IDT) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥14.55823 |
 | 71V3579YS85PF | IDT公司 (IDT) | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4.5Mb (256K x 18) 电源电压: 3.135V~3.465V 供应商设备包装: 100-TQFP（14x14） | ¥14.55823 |
71V016SA10PHG所属分类：存储器，71V016SA10PHG 由 IDT公司 (IDT) 设计生产，可通过久芯网进行购买。71V016SA10PHG价格参考￥10.647063，你可以下载 71V016SA10PHG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询71V016SA10PHG规格参数、现货库存、封装信息等信息！
IDT公司 (IDT)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
