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BG 3130R H6327是RF MOSFET晶体管RF MOSFET，包括BG3130系列，它们设计用于RF小信号MOSFET类型，包装如数据表说明所示，用于卷筒，提供零件别名功能，如BG3130RH6327XT BG3130RH 6327XTSA1 SP000753496，单位重量设计为0.000212盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作SOT-363封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供24 dB增益，该器件具有200 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，工作频率为800 MHz，Vgs栅极-源极电压为6 V，Id连续漏极电流为25 mA，Vds漏极-源极击穿电压为12 V，晶体管极性为N沟道。
BG 3130 H6327是RF MOSFET晶体管RF MOSFET，包括6 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供RF小信号MOSFET等类型功能，晶体管极性设计为在N沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作BG3130系列。此外，Pd功耗为200 mW，该器件采用BG3130H6327XT BG3130H3327XTSA1 SP00075494零件别名，该器件具有一卷封装，封装外壳为SOT-363，工作频率为800 MHz，安装方式为SMD/SMT，最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为25 mA，增益为24 dB。
BFY90是TRANS RF NPN 200MW 50MA TO72，包括50MA集流器Ic Max，设计用于在20@25mA、1V DC电流增益hFE Min Ic Vce下工作，数据表说明中显示了用于1.3GHz的频率转换，提供20dB等增益特性，安装类型设计用于通孔，以及2.5dB ~ 5dB@500MHz噪声系数dB Typ f，该装置也可用作TO-206AF、TO-72-4金属罐包装盒。此外，封装为散装，该器件提供200mW最大功率，该器件具有系列BFY90，供应商器件封装为TO-72，晶体管类型为NPN，集电极-发射极击穿最大值为15V。
具有VISHAY制造的EDA/CAD模型的BG。BG采用SMA封装，是IC芯片的一部分。
