用于LTE的硅锗低噪声放大器
BGA7M1N6E6327XTSA1
- 描述:RF类型: LTE 频率: 1.8GHz~2.2GHz 增益: 13分贝 电源电压: 1.5伏~3.3伏 工作电流: 4.4毫安 供应商设备包装: PG-TSNP-6-2
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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15000+ | 0.62238 | 9335.73000 |
- 库存: 15000
- 单价: ¥2.29238
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.29
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 试验频率 -
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 包装/外壳 6-XFDFN
- 工作电流 4.4毫安
- 频率 1.8GHz~2.2GHz
- 增益 13分贝
- RF类型 LTE
- 1dB压缩点 -7dBm
- 电源电压 1.5伏~3.3伏
- 供应商设备包装 PG-TSNP-6-2
- 噪声系数 0.6分贝
BGA7M1N6E6327XTSA1 产品详情
BGA7M1N6E6327XTSA1所属分类:射频放大器,BGA7M1N6E6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BGA7M1N6E6327XTSA1价格参考¥2.292378,你可以下载 BGA7M1N6E6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BGA7M1N6E6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。