特色
- 插入功率增益：15.0 dB
- 旁路模式下的插入损耗：5.3 dB
- 低噪声系数：1.2dB
- 低电流消耗：4.2mA
- 工作频率：3.3-3.8 GHz
- 多状态控制：关闭、旁路和高增益模式
- 电源电压：1.6 V至3.1 V
- 超小型TSNP-6-2无引线封装（占地面积：0.7 x 1.1 mm2）
- B9HF硅锗技术
- 射频输入和射频输出内部匹配50欧姆
- 无需外部SMD组件
- 2kV HBM ESD保护（包括AI引脚）
- 无铅（符合RoHS）包装
应用
潜在应用
LTE频带42和频带43
BGA8V1BN6E6327XTSA1
- 描述:频率: 3.4GHz~3.8GHz 电源电压: 1.6伏~3.1伏 工作电流: 4.2毫安 供应商设备包装: PG-TSNP-6-2
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 970
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.54033 | 6.54033 |
- 库存: 1492500
- 单价: ¥6.54034
-
数量:
- +
- 总计: ¥6,344.13
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 安装类别 表面安装
- RF类型 -
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 工作电流 4.2毫安
- 频率 3.4GHz~3.8GHz
- 增益 -
- 包装/外壳 6-XFDFN
- 1dB压缩点 -3分贝m
- 供应商设备包装 PG-TSNP-6-2
- 电源电压 1.6伏~3.1伏
- 噪声系数 1.2分贝~5.3分贝
- 试验频率 3.4GHz~3.8GHz
BGA8V1BN6E6327XTSA1 产品详情
英飞凌科技BGA8V1BN6E6327XTSA1低噪声放大器（LNA）适用于覆盖3.3GHz至3.8GHz的宽频率范围的LTE。LNA在4.2mA的电流消耗下提供15.0dB的增益和1.2dB的噪声系数。在旁路模式下，LNA提供5.3dB的插入损耗。BGA8V1BN 6E6327xTSA1基于英飞凌技术的B9HF硅锗技术。该设备的工作电压为1.6V至3.1V，具有多状态控制（关断、旁路和高增益模式）。
BGA8V1BN6E6327XTSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BGA3131J | DOCSIS 3.1 UPSTREAM AMPLIFIER | ¥10.69632 | |
| BGA3031X | BGA3031 - DOCSIS 3.0 PLUS UPSTRE | ¥5.47252 | |
 | BGA0029 | 奇普奎克 (Chip Quik ) | 原型板类别: SMD到DIP 板卡厚度（板厚）: 0.063英寸（1.60毫米） 材质: FR4环氧玻璃 针位数: thirty-six 间距: 0.014英寸（0.35毫米） 大小/尺寸: 0.700英寸长x 1.800英寸宽（17.78毫米x 45.72毫米） | ¥314.99372 |
 | BGA0036 | 奇普奎克 (Chip Quik ) | 原型板类别: SMD到PGA 板卡厚度（板厚）: 0.063英寸（1.60毫米） 材质: FR4环氧玻璃 针位数: 169 间距: 0.030英寸（0.75毫米） 大小/尺寸: 2.300" L x 2.200" W (58.42毫米 x 55.88毫米) | ¥362.07257 |
 | BGA0030 | 奇普奎克 (Chip Quik ) | 原型板类别: SMD到DIP 板卡厚度（板厚）: 0.063英寸（1.60毫米） 材质: FR4环氧玻璃 针位数: thirty-six 间距: 0.020英寸（0.50毫米） 大小/尺寸: 0.700英寸长x 1.800英寸宽（17.78毫米x 45.72毫米） | ¥307.75082 |
 | BGA0027 | 奇普奎克 (Chip Quik ) | 原型板类别: SMD到PGA 板卡厚度（板厚）: 0.063英寸（1.60毫米） 材质: FR4环氧玻璃 针位数: 121 间距: 0.026英寸（0.65毫米） 大小/尺寸: 1.900英寸长x 1.900英寸宽（48.26毫米x 48.26毫米） | ¥398.28707 |
 | BGA0034 | 奇普奎克 (Chip Quik ) | 原型板类别: SMD到镀通孔板 板卡厚度（板厚）: 0.063英寸（1.60毫米） 材质: FR4环氧玻璃 间距: 0.039英寸（1.00毫米） 大小/尺寸: 4.400" L x 3.500" W (111.76毫米 x 88.90毫米) | ¥499.68767 |
 | BGA0011 | 奇普奎克 (Chip Quik ) | 原型板类别: SMD到DIP 板卡厚度（板厚）: 0.062英寸（1.57毫米）1/16英寸 材质: FR4环氧玻璃 针位数: twenty-five 间距: 0.020英寸（0.50毫米） 大小/尺寸: 0.700英寸x 1.300英寸（17.78毫米x 33.02毫米） | ¥152.02847 |
 | BGA0016 | 奇普奎克 (Chip Quik ) | 原型板类别: SMD到DIP 针位数: twenty-five 间距: 0.016英寸（0.40毫米） | ¥173.75717 |
 | BGA0004 | 奇普奎克 (Chip Quik ) | 原型板类别: SMD到PGA 板卡厚度（板厚）: 0.062英寸（1.57毫米）1/16英寸 材质: FR4环氧玻璃 针位数: 100 间距: 0.039英寸（1.00毫米） 大小/尺寸: 1.900英寸x 2.100英寸（48.26毫米x 53.34毫米） | ¥189.69155 |
BGA8V1BN6E6327XTSA1所属分类：射频放大器，BGA8V1BN6E6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BGA8V1BN6E6327XTSA1价格参考￥6.540339，你可以下载 BGA8V1BN6E6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BGA8V1BN6E6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
