分类:
- 分立场效应晶体管 (FET)
制造商:
- 安盛美 (onsemi)
- 台舟 (TECH PUBLIC)
封装:
- SOT-223 (TO-261)
久芯自营
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图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥3.94086 | 351 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.94086 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） PDF数据手册 | ¥63.98378 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.98378 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：10.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,3A | ¥3.90952 | 4763 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.90952 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：10.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@10V,3A | ¥3.53117 | 12049 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥3.53117 | 立即购买 加入购物车 |
NTF2955T1G 规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 宽（英寸） | thirty-six |
| 制造厂商 | 台舟 (TECH PUBLIC) |
| 部件状态 | 可供货 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 最大栅源极电压 (Vgs) | ±20V |
| 场效应管特性 | - |
| 安装类别 | 表面安装 |
| 漏源电压标 (Vdss) | 60 V |
| 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） | 10伏 |
| 工作温度 | -55摄氏度~175摄氏度（TJ） |
| 场效应管类型 | P-通道 |
| 漏源电流 (Id) @ 温度 | 1.7A（Ta） |
| 最大功耗 | 1W（Ta） |
| 包装/外壳 | 至261-4，至261AA |
| 开启电压 (Vgs(th) @ ld) | 4V @ 1毫安 |
| 供应商设备包装 | SOT-223 (TO-261) |
| 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs | 14.3 nC@10 V |
| 导通电阻 Rds(ON) | 185毫欧姆@2.4A，10V |
| 最大输入电容 (Ciss) @ Vds | 492 pF @ 25 V |
| 材质 | 橡胶 |
| 数据手册PDF | PDF链接 |