分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 330伏 最大集电极电流 (Ic): 90 A 最大功率: 223 W 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.65313 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.65313 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 场截止 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 80 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥163.48674 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥163.48674 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 300伏 最大集电极电流 (Ic): 120 A 最大功率: 290瓦 供应商设备包装: TO-3P 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.14006 | 364 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,169.97284 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 64 A 最大功率: 417 W 供应商设备包装: TO-247-3 | ¥71.63240 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥71.63240 | 立即购买 加入购物车 | ||
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 31 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: PG-TO262-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.21249 | 4950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 14 A 最大功率: 38瓦 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥103.18815 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥103.18815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 7.8 A 最大功率: 52 W 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥41.11070 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.11070 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 101瓦 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.21249 | 306 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.26016 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 48A 最大功率: 250瓦 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥212.11557 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥212.11557 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 78 A 最大功率: 370 W 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥24.04643 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.04643 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 24A 最大功率: 104瓦 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.28492 | 899 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,170.11770 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 8 A 最大功率: 56 W 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.82233 | 420 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 360伏 最大集电极电流 (Ic): 44 A 最大功率: 187 W 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.42978 | 22400 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 13 A 最大功率: 90 W 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥180.69249 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥180.69249 | 添加到BOM 立即询价 | ||
集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 160瓦 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥57.82731 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.82731 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 12A 最大功率: 77 W 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥112.23207 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥112.23207 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL IGBT 400V, 150A | ¥10.64706 | 167300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64791 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: 沟槽 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 16 A 最大功率: 99 W 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥29.95953 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥29.95953 | 添加到BOM 立即询价 | ||
N-CHANNEL IGBT FOR STROBE FLASH | ¥10.64706 | 18000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,182.64791 | 添加到BOM 立即询价 | ||
IGBT型: NPT 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 19A 最大功率: 52 W 供应商设备包装: TO-220AB Full-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥94.02803 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,753.50375 | 立即购买 加入购物车 |