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HGT1S12N60A4S9A是IGBT 600V 54A 167W TO263AB，包括Digi-ReelR封装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，输入类型显示在数据表注释中，用于标准，提供表面安装等安装类型功能，该器件还可以用作54A集电器Ic最大值。此外，集电器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供96A集电器脉冲Icm，该器件在15V时具有2.7V，最大Vge Ic上的Vce为12A，开关能量为55μJ（开），50μJ（关），栅极电荷为78nC，25°C下的Td为17ns/96ns，测试条件为390V，12A，10 Ohm，15伏。
HGT1S12N60A4DS是IGBT 600V 54A 167W D2PAK，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.7V@15V、12A Vce on Max Vge Ic下工作，测试条件如数据表注释所示，用于390V、12A、10 Ohm、15V，提供25°C的Td通断特性，如17ns/96ns，开关能量设计为55μJ（开）、50μJ（关），以及D2PAK供应商设备包，该设备也可以用作30ns反向恢复时间trr。此外，功率最大值为167W，该设备采用管式封装，该设备具有TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装外壳，安装类型为表面安装，输入类型为标准，栅极电荷为78nC，集电器脉冲Icm为96A，集电器Ic最大值为54A。
HGT1S12N60B3S，带有INTERSIL制造的电路图。HGT1S12N60B3S采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
