9icnet为您提供由其他公司设计和生产的HGT1S3N60A4DS9A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。HGT1S3N60A4DS9A价格参考1.66000美元。其他HGT1S3N60A4DS9A封装/规格：N通道IGBT。您可以下载HGT1S3N60A4DS9A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如HGT1S3N60A4DS9A价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
HGT1S20N60C3S9A是IGBT 600V 45A 164W TO263AB，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于0.046296盎司单位重量的操作，安装类型如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB，输入类型设计用于标准，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为164W，该设备具有45A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为600V，电流收集器脉冲Icm为300A，最大Vce Vge Ic为1.8V@15V，20A，开关能量为295μJ（开），500μJ（关），栅极电荷为91nC，25°C时的Td为28ns/151ns，测试条件为480V、20A、10 Ohm、15V，Pd功耗为164 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO最大值为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.4 V，25 C时的连续集电极电流为45 A，栅极发射极漏电流为+/-250nA，最大栅极发射极电压为+/-20V，连续集电极电流Ic-Max为45A。
HGT1S2N120CN是IGBT 1200V 13A 104W I2PAK，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.4V@15V、2.6A Vce运行，测试条件如数据表注释所示，用于960V、2.6V、51 Ohm、15V，提供25°C的Td开-关特性，如25ns/205ns，开关能量设计为在96μJ（开）、355μJ（关）下工作，除了TO-262供应商器件封装外，该器件还可以用作104W最大功率。此外，封装为管，该器件采用TO-262-3长引线、I2Pak、TO-262AA封装外壳，该器件具有安装型通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为NPT，栅极电荷为30nC，集流器脉冲Icm为20A，集流器Ic Max为13A。
HGT1S3N60A4DS是INTERSIL制造的600V 17A 70W D2PAK IGBT。HGT1S3N60A4DS提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是IGBT的一部分-单个，并支持600V 17A 70W D2PAK。
