分立半导体产品包括单个晶体管、二极管和晶闸管,以及由单个封装内的两个、三个、四个或其他少量类似器件组成的小型阵列。最常见且广为人知的是MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它们通常用于构建具有相当大电压或电流应力的电路,或用于实现非常基本的电路功能。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥0.93959 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.93959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥2.04250 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.04250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥1.22840 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.22840 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-323 | ¥1.75278 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.75278 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 230毫瓦 供应商设备包装: SC-59 | ¥0.14486 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥434.57400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
CSD86356Q5D 25V, NCH SYNCHRONOUS | ¥10.42978 | 7250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.25296 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET 2N-CH 25V 13A/27A 8PQFN | ¥13.03722 | 171945 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.21574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、38A(Tc) 供应商设备包装: 8-PowerPair (3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.12605 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.12605 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 74A 供应商设备包装: 12-PQFN(3.3x3.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,377.19398 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,377.19398 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tj) 供应商设备包装: AG-EASY2BM-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2,057.41817 | 15 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,057.41817 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.50460 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.82318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 62V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1,225.78840 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,225.78840 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.4A 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.94014 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.94014 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723 | ¥0.21729 | 272118 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,117.67910 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-预偏置 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 260毫瓦 供应商设备包装: SOT-723 | ¥0.21729 | 387342 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,117.67910 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BLF242 - VHF PUSH-PULL POWER VDM | ¥351.17201 | 51 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,107.03204 | 添加到BOM 立即询价 | ||
AFT27S010N - AIRFAST RF POWER LD | ¥60.41202 | 840 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,114.42053 | 添加到BOM 立即询价 | ||
A2I25D025 - AIRFAST RF POWER LDM | ¥165.86799 | 430 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,156.28383 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MMRF1304 - WIDEBAND RF POWER LDM | ¥171.51788 | 462 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,058.21461 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NARROW BAND HIGH POWER AMPLIFIER | ¥398.92445 | 448 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,994.62223 | 添加到BOM 立即询价 |