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FF8MR12W2M1B11BOMA1

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 碳化硅(SiC) 漏源电压标 (Vdss): 1200V(1.2千伏) 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tj) 供应商设备包装: AG-EASY2BM-2 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥2,057.41817
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 场效应管特性 碳化硅(SiC)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1200V(1.2千伏)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 150A(Tj)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.5毫欧姆 @ 150A, 15V (Typ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.55V @ 60毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 372nC @ 15V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 11000皮法@800V
  • 最大功率 20mW(Tc)
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 AG-EASY2BM-2

FF8MR12W2M1B11BOMA1 产品详情

FF8MR12W2M1B11BOMA1所属分类:场效应晶体管阵列,FF8MR12W2M1B11BOMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FF8MR12W2M1B11BOMA1价格参考¥2057.418174,你可以下载 FF8MR12W2M1B11BOMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FF8MR12W2M1B11BOMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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