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FF800R17KF6C_B2,带引脚细节,包括IGBT硅模块产品,它们设计为采用螺钉安装方式运行,数据表注释中显示了用于IHM的封装盒,提供了双路等配置功能,Pd功耗设计为6.25 W,最大工作温度范围为+125 C,它的最低工作温度范围为-40℃。此外,集电极-发射极电压VCEO最大值为1700 V,该器件提供2.6 V集电极-发射器饱和电压,该器件在25℃时具有1300 a的连续集电极电流,栅极-发射极漏电流为400 nA,最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
FF800R17KE3-B2,带有EUPEC制造的用户指南。FF800R17KE3-B2以模块封装形式提供,是IC芯片的一部分。
FF800R17KF6,带有EUPEC制造的电路图。FF800R17KF6在模块包中提供,是模块的一部分。
FF800R17KF6B2,带有EUPEC制造的EDA/CAD模型。FF800R17KF6B2在模块包中提供,是模块的一部分。