9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的FF800R17KP4B2NOSA2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FF800R17KP4B2NOSA2参考价格为1006.39000美元。Infineon Technologies FF800R17KP4B2NOSA2封装/规格：IGBT模块1700V 800A。您可以下载FF800R17KP4B2NOSA2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FF800R17KF6C_B2，带引脚细节，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表注释中显示了用于IHM的封装盒，提供了双路等配置功能，Pd功耗设计为6.25 W，最大工作温度范围为+125 C，它的最低工作温度范围为-40℃。此外，集电极-发射极电压VCEO最大值为1700 V，该器件提供2.6 V集电极-发射器饱和电压，该器件在25℃时具有1300 a的连续集电极电流，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
FF800R17KF6C-B2，带有EUPEC制造的用户指南。FF800R17KF6C-B2在模块包中提供，是模块的一部分。
FF800R17KP4_B2，带有INFINEON制造的电路图。FF800R17KP4_B2在模块包中提供，是模块的一部分，支持IGBT模块IGBT 1700V 800A。
FF800R17KP4-B2，带有Infineon制造的EDA/CAD模型。FF800R17KP4-B2在模块包中提供，是模块的一部分。
