什么是功率驱动器模块:
功率驱动器模块为功率组件（通常是半桥或一相、两相或三相配置中的 IGBT 和 MOSFET）提供物理封装。功率半导体或芯片焊接或烧结在承载功率半导体的基板上，并在需要时提供电接触和热接触以及电绝缘。电源模块提供更高的功率密度，并且在许多情况下更可靠且更容易冷却。
种类:
- 金属氧化物半导体场效应晶体管
- 场效应晶体管
- 绝缘栅双极晶体管
包装/外壳:
- 到263-8，DPak（7引线+接线片），TO-263CA
- 23 PowerSMD模块，鸥翼，21根引线
- 40-PowerWFQFN Module
- 22 PowerVFQFN模块
- 19 PowerSSIP模块，成型引线
- 39-PowerVQFN
- 23 PowerDIP模块（0.748“，19.00毫米）
- 42-PowerDip Module (1.404", 35.67毫米)
- 27 PowerLQFN模块
- 23-SMD模块
- 38-PowerDIP Module (1.165", 29.60毫米), 23 Leads
- 29 PowerSSIP模块，21根引线，成型引线
- 24 PowerDIP模块（1.028“，26.10毫米）
- 23-DIP模块（0.573“，14.55毫米）
- 10 PowerSIP模块，成型导线
- 16-SIP外露焊盘，成型引线
- 23 PowerDIP模块（0.573“，14.56毫米）
- 26 PowerSIP模块，22根引线，成型引线
- 39-PowerDIP Module (1.413", 35.90毫米), 29 Leads
- 19-SSIP成型引线
- 28 PowerDIP模块（1.882英寸，47.80毫米）
- 至247-3
- 26 PowerDIP模块（1.024“，26.00毫米），23根引线
- 34-PowerDIP Module (0.997", 39.26毫米)
- 29-SSIP模块，21根引线，成型引线
- 26 PowerDIP模块（1.327“，33.70毫米）
- 20 PowerSIP模块，成型导线
- 24 PowerDIP模块（1.094“，27.80毫米）
- 23 PowerSSIP模块，22根引线，成型引线
- 28-SOIC（0.295“，7.50毫米宽）
- 41-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米), 26 Leads
- 23 PowerDIP模块（0.551“，14.00毫米）
- 24 PowerTFQFN
- 22 PowerSIP模块，18根引线，成型引线
- 26动力MD模块，鸥翼
- 27 PowerDIP模块（0.300“，7.62毫米）
- 26 PowerDIP模块（1.370“，34.80毫米）
- 25功率WFQFN
- 20 PowerDIP模块（1.043“，26.50毫米）
- 38-PowerDIP Module (0.610", 24.00毫米), 24 Leads
- 40-PowerDIP Module (2.835", 72.00毫米), 33 Leads
- 25 PowerDIP模块（1.134“，28.80毫米）
- 22 PowerDIP模块（0.993“，25.23毫米）
- 23-SMD模块，鸥翼
- 36-PowerDIP Module (2.480", 63.00毫米)
- 19 PowerSIP模块，13根引线，成型引线
- 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米)
- 26 PowerDIP模块（1.134英寸，28.80毫米）
- 26-PowerDIP Module (1.043", 26.50毫米)
- 23 PowerSMD模块，鸥翼
- 38-PowerDIP Module (1.146", 29.10毫米)
- 39-PowerVFQFN
- 26 PowerDIP模块（1.024“，26.00毫米）
- 23 PowerDIP模块（0.644“，16.35毫米）
- 19 PowerDIP模块（1.205“，30.60毫米）
- 25 PowerDIP模块（0.993“，25.23毫米）
- 24 PowerDIP模块（1.205“，30.60毫米）
- 27电源VQFN
- 25 PowerDIP模块（1.311“，33.30毫米）
- 16-SIP外露衬垫
- 25 PowerDIP模块（2.455“，62.35毫米）
- 24 PowerTFQFN模块
- 24 PowerDIP模块（3.032“，77.00毫米）
- 模块
- 20 PowerDIP模块（1.220“，31.00毫米）
- 38-PowerDIP Module (1.413", 35.90毫米)
- 28 PowerSIP模块，23根引线，成型引线
- 18 PowerDIP模块（1.087“，27.60毫米）
- 电源模块
- 19 PowerDIP模块（1.480“，37.60毫米）
- 26 PowerDIP模块（0.846“，21.48毫米）
- SOT-227-4，迷你超直瞄
- 23-DIP模块
- 36-PowerDIP Module (3.100", 78.75毫米)
- 26 PowerDIP模块（1.146“，29.10毫米）
- 25 PowerDIP模块（1.327“，33.70毫米）
- 26 PowerDIP模块（0.573“，14.50毫米）
- 21 PowerDIP模块（0.644“，16.35毫米）
- 30-PowerDIP Module
- 31-PowerDIP Module (1.385", 35.17毫米)
- 31-PowerVFQFN Module
- 30-PowerDIP Module (1.996", 50.70毫米)
- 6-PowerSIP Module
- 35-PowerSIP Module, 29 Leads
- 25 PowerDIP模块（0.815“，20.70毫米）
- 35-PowerSSIP Module, 25 Leads, Formed Leads
- 32-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米)
- 30-PowerDIP Module (1.385", 35.17毫米)
- 23 PowerSIP模块，19根引线，成型引线
- 34-PowerDIP Module (1.480", 37.60毫米)
- 37-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米)
- 35-PowerDIP Module (0.866", 22.00毫米), 30 Leads
- 28 PowerDIP模块（2.717“，69.00毫米）
- 39-PowerDIP Module (1.413", 35.90毫米), 30 Leads
- 27 PowerDIP模块（1.205“，30.60毫米）
更多
隔离电压:
- 4000Vrms
- 5000Vrms
- 3000Vrms
- 1000VDC
- 2000伏
- 4200VDC
- 4200Vrms
- 1500VDC
- 4000VDC
- 2500VDC
- 1900Vrms
- 1000Vrms
- 2500Vrms
- 1500Vrms
更多
电流属性:
- 10A
- 200 A
- 40 A
- 180 A
- 430 A
- 4A
- 1.5 A
- 16 A
- 14 A
- 1.7 A
- 108 A
- 1.9 A
- 5 A
- 9.4 A
- 100 A
- 15A
- 1.1 A
- 35A
- 70 A
- 440 A
- 400 A
- 53 A
- 30 A
- 4.1 A
- 1A
- 300 A
- 25 A
- 3.1 A
- 80 mA
- 12.5 A
- 820 A
- 304 A
- 3.3 A
- 12A
- 2.2 A
- 60 A
- 20A
- 450 A
- 160 A
- 2.6 A
- 2A
- 17 A
- 1.6 A
- 1.8 A
- 11 A
- 6 A
- 600 A
- 8 A
- 55 A
- 120 A
- 5.3 A
- 1.2 A
- 90 A
- 50 A
- 75 A
- 150 A
- 420 A
- 6.9 A
- 4.8 A
- 3A
- 800 A
- 3.6 A
- 45 A
- 26A
更多
电压:
- 600 V
- 300伏
- 18伏
- 60 V
- 500 V
- 15伏
- 36伏
- 25伏
- 30伏
- 1.2千伏
- 150伏
- 80 V
- 250伏
- 650 V
- 750 V
更多
制造厂商:
- 安盛美 (onsemi)
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 英飞凌 (Infineon)
- 微芯 (Microchip)
- 宝英电源 (Powerex)
- 基因半导体公司 (GeneSiC)
- 哈利斯 (HARRIS)
- 罗姆 (Rohm)
- 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
- 固态公司 (Solid State )
- 迈凌微 (MaxLinear)
更多
参数配置:
- 1相逆变器
- 半桥
- 2阶段
- 1阶段
- 三相逆变器
- 半相逆变器
- 三相
- 半桥逆变器
- H桥逆变器
- H型桥
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 3A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 23 PowerSMD模块，鸥翼 | ¥176.29599 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥176.29599 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 5 A 电压: 600 V 隔离电压: 2500VDC 参数配置: 三相 包装/外壳: 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米) | ¥228.17566 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥228.17566 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 1.5 A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块（0.748“，19.00毫米） | ¥46.71671 | 360 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,195.68514 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 10A 电压: 600 V 隔离电压: 2500VDC 参数配置: 三相 包装/外壳: 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米) | ¥57.46665 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.46665 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 5 A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 20 PowerDIP模块（1.220“，31.00毫米） | ¥51.13897 | 2388 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,301.25379 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 5 A 电压: 600 V 隔离电压: 2500VDC 参数配置: 三相 包装/外壳: 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米) | ¥168.65397 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥168.65397 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 5 A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 20 PowerDIP模块（1.220“，31.00毫米） | ¥49.68629 | 212 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,186.19694 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 50 A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 31-PowerVFQFN Module | ¥6.33392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19,001.74800 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 5 A 电压: 600 V 隔离电压: 2500VDC 参数配置: 三相 包装/外壳: 37-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米) | ¥471.45078 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥471.45078 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 2A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块（0.551“，14.00毫米） | ¥52.18992 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,296.35639 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 25V/35A DRMOS QFN | ¥6.86627 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20,598.80700 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 10A 电压: 600 V 隔离电压: 2500VDC 参数配置: 三相 包装/外壳: 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米) | ¥184.15125 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥184.15125 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 10A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相逆变器 包装/外壳: 20 PowerDIP模块（1.220“，31.00毫米） | ¥52.41062 | 10489 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,306.06715 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 50 A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 31-PowerVFQFN Module | ¥7.22479 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21,674.37900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 5 A 电压: 600 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 20 PowerDIP模块（1.220“，31.00毫米） | ¥53.54564 | 312 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,302.46239 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 10A 电压: 600 V 隔离电压: 2500VDC 参数配置: 三相 包装/外壳: 37-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米) | ¥1,027.14421 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,027.14421 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 50 A 参数配置: 1阶段 包装/外壳: 31-PowerVFQFN Module | ¥8.87617 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26,628.52200 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 1.1 A 电压: 500 V 隔离电压: 1500Vrms 参数配置: 三相 包装/外壳: 23 PowerDIP模块（0.551“，14.00毫米） | ¥54.59658 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,293.05644 | 立即购买 加入购物车 | |
| | 种类: 绝缘栅双极晶体管 电流属性: 15A 电压: 600 V 隔离电压: 2500VDC 参数配置: 三相 包装/外壳: 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80毫米) | ¥446.35245 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥446.35245 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 种类: 金属氧化物半导体场效应晶体管 电流属性: 20A 参数配置: H型桥 包装/外壳: 27电源VQFN | ¥9.37593 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28,127.80200 | 添加到BOM 立即询价 |