什么是双极性晶体管阵列:
双极晶体管阵列将两个或多个分立晶体管合并在一个共享封装中，或者作为电气上独立的实体，或者在器件封装内部实现它们之间某种形式的互连。阵列中所包含的器件具有紧密匹配或互补的特性，共同封装的特性可最大限度地减少运行期间器件之间的温差。
最大集电极电流 (Ic):
- 1.5A、1.25A
- 10A
- 7.5A, 6.3A
- 15毫安
- 1.5A，3A
- 6.7A, 5.9A
- 8A
- 4A
- 800毫安
- 50毫安, 100毫安
- 4.5A, 4A
- 100毫安、50毫安
- 20毫安
- 5.9A
- 4.8A
- 1.5A
- 700毫安
- 25毫安
- 600毫安
- 4A, 3.5A
- 2A，1.5A
- 50毫安, 10毫安
- 5A
- 4A、3A
- 1.75A
- 1A
- 150毫安、500毫安
- 2.7A
- 800毫安, 600毫安
- 400毫安
- 500毫安, 100毫安
- 1.35A、1.1A
- 3.5A、2.5A
- 1.2A
- 6.7A
- 5.7A, 4.8A
- 500毫安
- 100毫安、500毫安
- 4.5A
- 30毫安
- 6.3A
- 12A
- 300毫安
- 6A
- 500毫安, 600毫安
- 2A
- 3.5A
- 150毫安
- 700毫安, 500毫安
- 200毫安
- 7.5A
- 5.7A
- 4.5A, 3.5A
- 65毫安
- 40毫安
- 13A
- 770毫安
- 870毫安, 770毫安
- 200毫安、500毫安
- 5A, 3.5A
- 15毫安、100毫安
- 3A
- 1.8A
- 3.5A，3A
- 870毫安
- 100毫安
- 10毫安
- 50毫安
- 2.5A
更多
工作温度:
- -65摄氏度~200摄氏度（TJ）
- -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -25摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -20摄氏度~85摄氏度（TA）
- -40摄氏度~105摄氏度
- -25摄氏度~85摄氏度（TA）
- 175摄氏度（TJ）
- 150摄氏度（TJ）
- 150摄氏度
- -55摄氏度~125摄氏度
- -40摄氏度~85摄氏度
- -55摄氏度~150摄氏度（TA）
- -40摄氏度～105摄氏度（TA）
- -25摄氏度~85摄氏度
- -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
- -20摄氏度~150摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 200摄氏度（TJ）
- -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 0摄氏度~70摄氏度（TA）
- 125摄氏度（TJ）
- -55摄氏度~125摄氏度（TA）
- -40摄氏度~85摄氏度（TA）
更多
集电极击穿电压:
- 40V, 15V
- 160伏、150伏
- 20伏、50伏
- 20伏、10伏
- 200伏
- 24伏
- 36伏
- 17.5伏
- 12伏
- 20伏
- 32伏
- 40伏
- 150伏
- 500V
- 50V
- 70V
- 8V
- 90V
- 80V, 100V
- 80V, 50V
- 80V, 70V
- 50V, 12V
- 50V, 60V
- 100伏
- 50V, 20V
- 25伏
- 50V, 40V
- 45伏
- 40V, 30V
- 15伏、12伏
- 45V, 40V
- 65V, 60V
- 55V
- 75V
- 400伏
- 40V, 45V
- 100V、50V
- 10伏
- 160伏
- 30伏
- 140伏
- 120伏
- 60V
- 80V
- 300伏
- 900V
- 15伏
- 40V, 60V
- 35伏
- 50V, 10V
- 11伏
- 95伏
- 65V
- 230伏
- 30V, 6V
- 7V
更多
最大功率:
- 750mW
- 420mW
- 210毫瓦
- 290毫瓦
- 1.25瓦
- 360mW
- 926毫瓦
- 2.25瓦
- 100W
- 385mW
- 3瓦
- 4W, 20W
- 3.2瓦
- 10W
- 550mW
- 2.5瓦
- 510mW
- 1.1瓦
- 325mW
- 2.2瓦
- 225毫瓦、200毫瓦
- 4瓦
- 55mW
- 1.31W
- 357mW
- 1.5瓦
- 2.6瓦
- 330mW
- 500mW
- 370mW
- 480mW
- 5W
- 1.2瓦
- 1W
- 2.12W
- 400mW
- 250mW
- 600mW
- 653mW
- 130瓦
- 2.27瓦
- 625mW
- 300mW
- 2.3瓦
- 125毫瓦
- 2.75瓦
- 1.6瓦
- 40W
- 700mW
- 150mW
- 380mW
- 530mW
- 80W
- 5W, 25W
- 2W
- 1.8W
- 200mW
- 1.04瓦
- 620mW
- 240毫瓦
- 405mW
- 100mW
- 830mW
- 225毫瓦
- 3W, 15W
- 310mW
- 900mW
- 1.7瓦
- 200mW、210mW
- 50mW
- 350mW
更多
制造厂商:
- 英飞凌 (Infineon)
- 罗姆 (Rohm)
- 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
- 佑风微 (YFW)
- DComponents (DComponents)
- 达尔科技 (Diodes rporated)
- 恩智浦 (NXP)
- 安盛美 (onsemi)
- 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 德州仪器 (Texas)
- 三垦电气株式会社 (Sanken)
- 中央半导体 (Central)
- 固态公司 (Solid State )
- 模拟器件公司 (Analog)
- 松下电子元件 (Panasonic)
- 安世 (Nexperia)
- 三垦 (Allegro MicroSystems)
- 江苏长电/长晶 (CJ)
- 安世半导体 (Nexperia)
- 罗切斯特电子 (Rochester)
- 东芝 (Toshiba)
- 扬杰 (YANGJIE)
- 双竞集成 (Sungine)
- 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
- 强茂 (Panjit)
- 微芯 (Microchip)
- 美国埃戈罗 (ALLEGRO)
- 瑞萨电子 (Renesas)
- 欧普泰克 (TT)
- 广东友台半导体 (UMW)
- 德欧泰克半导体 (Diotec)
- 微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
- TO-116
- MINI6-G1
- 18-SOP
- LFPAK56D
- 8-SO
- 18-DIP
- 15-SIP
- 6-TSOP
- 16-PDIP
- 14-Flatpack
- W-DFN3020-8
- SOT-66
- 8-MLP (3x2)
- SMT6
- SMT5
- SM6
- 6-SMD
- SMini6-F3-B
- 6-TSSOP
- SM8
- 16-CDIP
- SMINI6-G1
- X2-DFN1310-6 (Type B)
- SSMini6-F3-B
- SOT-23-6
- EMT5
- EMT6
- SOT-23-3
- SC-88（SC-70-6）
- Mini5-G3-B
- DFN1010B-6
- PG-SOT-143-3D
- SMV
- SSMINI6-F1
- 18-PDIP
- SMini5-G1
- SSMini6-F2
- 15-ZIP
- TSMT5
- ES6
- DFN1412-6
- 8-MSOP
- US6
- 10-SIP
- PG-SOT363-6
- 16-SOP
- 3-md
- 16-DIP
- SSSMini6-F1
- ESV
- 16 PowerDIP（20x7.10）
- SuperSOT-6.
- VMT6
- SOT-363
- P-SOT363-6
- USV
- 12-SIP
- TO-92-3
- 6-CLCC
- 14-VSON（6x5）
- 6-MCPH
- 21-SIP w/fin
- TUMT6
- 14-SOIC
- 8-SIP
- PG-SC74-6
- SOT-26
- 20-SO
- SOT-223-3
- Mini6-G4-B
- TO-78-6
- 16-LFCSP（3x3）
- SC-88/SC70-6/SOT-363
- TO-77
- 20立方厘米
- TO-78
- 16-CERDIP
- 6-Flatpack
- 8-PDIP
- 6-WDFN (2x2)
- 16-SOIC
- 5-TSSOP
- SOT-963
- SC-74
- 16-SO
- DFN3020B-8
- 8-SOIC
- UMT6
- UMT5
- 5-CPH
- Mini5-G1
- TO-92 (TO-226)
- SOT-143B
- TSMT6（SC-95）
- SOT-563
- PG-SOT363-PO
- U-DFN2020-6
- 6-HUSON-EP (2x2)
- U-DFN2020-6 (Type B)
- 6-HUSON (2x2)
更多
晶体管类别:
- 3 NPN
- 2 PNP达林顿（双）
- 9 NPN Darlington
- 2 NPN（双）
- 2 PNP预偏置（双）
- 2个NPN，2个PNP Darlington（H桥）
- 2 PNP（双）匹配对
- NPN
- 8 NPN Darlington
- 2 NPN达林顿（双）
- 4 PNP Darlington (Quad)
- 2 NPN-预偏置（双）
- NPN，PNP达林顿（双）
- NPN、PNP互补
- 4 NPN, 1 PNP Darlington
- 3 NPN，3 PNP Darlington（三相桥）
- 4 NPN Darlington (Quad)
- 5 NPN
- 2 NPN（双）匹配对，公共发射极
- 2 PNP（双）
- 2 NPN（双）公共发射极
- 即插即用
- 3 NPN达林顿（发射器耦合）
- 7 NPN Darlington
- 2 PNP（双）匹配对，公共发射极
- 4 NPN (Quad) Matched Pairs
- 2 NPN（双）公共基极
- NPN、PNP补充Darlington
- NPN+齐纳二极管（隔离）
- NPN、PNP（公共基础）
- 2 NPN，2 PNP
- NPN、PNP（发射极耦合）
- 2个NPN，2个PNP（H桥）
- NPN，PNP
- 6 NPN Darlington
- 4 PNP (Quad)
- 4 NPN (Quad)
- 3 PNP达林顿（发射器耦合）
- 3 PNP
- 2 NPN（双）配对
更多
久芯自营
原装正品 1片起订 快至当天发货
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: TO-78-6 工作温度: 200摄氏度（TJ） | ¥240.64535 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,064.53530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 11伏 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥23.21448 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.21448 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 200mW 供应商设备包装: SOT-363 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | TO 78 DUAL SILICON TRANSISTORS N | ¥65.18610 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥651.86100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP（双） 集电极击穿电压: 20伏 最大集电极电流 (Ic): 6.3A 最大功率: 2.3瓦 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.18448 | 405 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.18448 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP（双） 集电极击穿电压: 65V 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: 6-TSSOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.17455 | 62068 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.17455 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 250mW 供应商设备包装: PG-SOT363-6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.60261 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,052.18000 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: TO-78-6 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥240.64535 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,064.53530 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 40伏 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 最大功率: 240毫瓦 供应商设备包装: SOT-66 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.75230 | 2276 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.75230 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 最大功率: 150mW 供应商设备包装: EMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥128.91638 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥128.91638 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP（双） 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SOT-963 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.04202 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.04202 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 30毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: TO-78 | ¥65.18610 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥651.86100 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 250mW 供应商设备包装: P-SOT363-6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.60261 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12,654.78900 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN（双） 集电极击穿电压: 45伏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥2.96959 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 晶体管类别: 2 PNP（双） 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: TO-78-6 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥242.92687 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24,292.68660 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: NPN，PNP 集电极击穿电压: 100伏 最大集电极电流 (Ic): 2A 最大功率: 2.75瓦 供应商设备包装: SM8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.55796 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥4.55796 | 立即购买 加入购物车 | |
 | 晶体管类别: 2 NPN（双）配对 集电极击穿电压: 80V 最大集电极电流 (Ic): 1A 最大功率: 500mW 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥2.82473 | 19706 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82473 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 晶体管类别: 2 PNP（双） 集电极击穿电压: 50V 最大集电极电流 (Ic): 500毫安 最大功率: 300mW 供应商设备包装: SMT6 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥0.29334 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.29334 | 立即购买 加入购物车 | |
 | BI-POLAR SILICON TRANSISTOR TO- | ¥77.26001 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥772.60014 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 晶体管类别: 2 PNP（双） 集电极击穿电压: 60V 最大集电极电流 (Ic): 50毫安 最大功率: 350mW 供应商设备包装: TO-78-6 工作温度: -65摄氏度~200摄氏度（TJ） | ¥254.22579 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25,422.57900 | 添加到BOM 立即询价 |