预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管,以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器,通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器,另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT3 | ¥0.59319 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.59319 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 480mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412-6 | ¥2.53502 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-563 | ¥0.71411 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2,142.31800 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6 | ¥1.73355 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.73355 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 480mW 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1412-6 | ¥2.53502 | 144900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.94327 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.94327 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-563 | ¥0.72552 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.56300 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6 | ¥2.82768 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.82768 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥1.78180 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.78180 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-563 | ¥0.72552 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.56300 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV | ¥2.96959 | 3968 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 180MHz 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥2.89716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.89716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-PO | ¥2.44231 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.44231 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-563 | ¥3.88850 | 60 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11,665.48800 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV | ¥2.96959 | 3890 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 230毫瓦 特征频率: 230兆赫 供应商设备包装: DFN1010B-6 | ¥0.34406 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.34406 | 立即购买 加入购物车 | ||
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 230MHz、180MHz 供应商设备包装: 6-TSSOP | ¥0.76775 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥0.76775 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 170MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-PO | ¥2.57195 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.57195 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT5 | ¥0.74392 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5,951.34400 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 100mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: ESV | ¥2.96959 | 3873 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 |