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什么是预偏置双极晶体管阵列:

预偏置双极晶体管阵列包含两个或多个双极晶体管,以及以可能有用的方式连接到每个晶体管的电阻器,通常每个晶体管的发射极和基极端子之间有一个电阻器,另一个连接到每个晶体管的基极端子和一个电阻器。器件封装上的用户可访问引脚。

最大集电极电流 (Ic):
  • 100毫安,3A
  • 100毫安,1A
  • 600毫安
  • 100毫安、200毫安
  • 80毫安
  • 400毫安
  • 70毫安, 100毫安
  • 150毫安
  • 30毫安、100毫安
  • 200毫安
  • 100毫安、1.5A
  • 100毫安、1.8A
  • 20毫安
  • 100毫安
  • 100毫安、700毫安
  • 100毫安、500毫安
  • 500毫安
  • 30毫安
  • 100毫安、150毫安
  • 50毫安
更多
集电极击穿电压:
  • 50V, 12V
  • 50V, 15V
  • 50V, 60V
  • 15伏
  • 50V, 20V
  • 50V, 65V
  • 50V, 40V
  • 40V, 30V
  • 50V, 30V
  • 20伏
  • 50V
  • 60V
  • 70V
  • 80V
更多
最大功率:
  • 480mW
  • 270毫瓦
  • 338mW
  • 339mW
  • 1W
  • 420mW
  • 290毫瓦
  • 230毫瓦
  • 1.25瓦
  • 250mW
  • 600mW
  • 385mW
  • 125毫瓦
  • 300mW
  • 120兆瓦
  • 760mW
  • 150mW
  • 285mW
  • 150mW、120mW
  • 200mW
  • 100mW
  • 408mW
  • 187mW
  • 357mW
  • 1.5瓦
  • 330mW
  • 500mW
  • 350mW
更多
制造厂商:
  • 芯导 (Prisemi)
  • 蓝箭 (BLUE ROCKET)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 安世 (Nexperia)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 江苏长电/长晶 (CJ)
  • 安世半导体 (Nexperia)
  • DComponents (DComponents)
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 维攀微 (WPMtek)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 扬杰 (YANGJIE)
  • 宝力芯 (PSI)
  • 德昌 (TC)
  • 强茂 (Panjit)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 松下 (Panasonic)
  • 乐山无线电 (LRC)
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 微型商业组件 (Micro)
更多
供应商设备包装:
  • MINI6-G1
  • 8-SO
  • SMini5-F3-B
  • 6-TSOP
  • SOT-353
  • PG-SC74-6
  • SOT-553
  • SOT-66
  • SMT6
  • SOT-26
  • SM6
  • SMT5
  • SMini6-F3-B
  • 6-TSSOP
  • SSMini5-F3
  • SMINI6-G1
  • SSMini5-F2
  • SSMini6-F3-B
  • EMT3
  • SOT-457
  • EMT5
  • Mini6-G4-B
  • SOT-23-6
  • EMT6
  • SSMini5-F4-B
  • Mini5-G3-B
  • SC-88/SC70-6/SOT-363
  • DFN1010B-6
  • SMQ
  • SMV
  • SSMINI6-F1
  • SMini5-G1
  • SSMini6-F2
  • SOT-963
  • 5-SSOP
  • ES6
  • SC-74
  • DFN1412-6
  • SC-88A(SC-70-5/SOT-353)
  • US6
  • PG-SOT363-6
  • UMT6
  • UMT5
  • Mini5-G1
  • SSSMini6-F1
  • ESV
  • PG-SOT23-3-11
  • SOT-363
  • TSMT6(SC-95)
  • SOT-563
  • PG-SOT363-PO
  • USV
  • PG-SOT363-6-1
  • SC-74R
更多
特征频率:
  • 200MHz
  • 185兆赫
  • 250MHz
  • 250MHz、260MHz
  • 250MHz、200MHz
  • 150MHz、200MHz
  • 170MHz
  • 250MHz、180MHz
  • 230兆赫
  • 250MHz、140MHz
  • 100MHz、200MHz
  • 250MHz、320MHz
  • 100MHz、80MHz
  • 300MHz, 250MHz
  • 200MHz、250MHz
  • 250MHz、280MHz
  • 140MHz
  • 150MHz、80MHz
  • 230MHz、180MHz
  • 280兆赫
  • 80MHz
  • 150MHz
  • 300MHz
  • 130MHz
  • 100MHz
  • 170MHz、150MHz
  • 190兆赫
  • 35MHz
  • 180MHz
更多
晶体管类别:
  • 1 NPN预偏置,1 NPN
  • 1个NPN,1个PNP-预偏置(双)
  • 1个PNP预偏置,1个NPN
  • 1个NPN,1个PNP-预偏置(基极-集电极结)
  • 2 PNP预偏置(双)
  • 1 PNP预偏置,1 PNP
  • NPN,PNP
  • 2 NPN-预偏置(双)
  • 1个NPN预偏置,1个PNP
  • 2 NPN-预偏置(双)(发射极耦合)
  • 2个NPN,1个PNP-预偏置
  • 2 PNP-预偏置(双)
  • NPN+PNP
  • 2 PNP-预偏置(双)(发射极耦合)
更多
当前"预偏置双极晶体管阵列"共 1978 条相关库存
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品牌型号
描述
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BCR183SE6433BTMA1
BCR183SE6433BTMA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.23286

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.23286

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IMB3AT110
IMB3AT110
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SMT6

¥2.96959

1975

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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NSBC143EPDXV6T1G
NSBC143EPDXV6T1G
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.32692

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,173.66498

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PBLS2001D,115
PBLS2001D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安,1A 集电极击穿电压: 50V, 20V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP

¥0.81139

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.81139

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UMH9NTN
UMH9NTN
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: UMT6

¥0.23829

100

2-3 工作日

- +

合计: ¥0.23829

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BCR185SB6327XT
BCR185SB6327XT
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥1.54556

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥1.54556

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NSBC114TDXV6T1G
NSBC114TDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.57943

11865

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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PBLS6002D,115
PBLS6002D,115
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安、700毫安 集电极击穿电压: 50V, 60V 最大功率: 600mW 特征频率: 185兆赫 供应商设备包装: 6-TSOP

¥3.25931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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NSVMUN531335DW1T1G
NSVMUN531335DW1T1G
晶体管类别: 1个NPN预偏置,1个PNP 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥1.62171

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥1.62171

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BCR185SE6327BTSA1
BCR185SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.44810

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.44810

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NSBC123JDXV6T1G
NSBC123JDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥1.42225

0

2-3 工作日

- +

合计: ¥5,545.33326

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DCX114EH-7
DCX114EH-7
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SOT-563

¥3.25931

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.25931

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SMUN5115DW1T1G
SMUN5115DW1T1G
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 187mW 供应商设备包装: SC-88/SC70-6/SOT-363

¥2.96959

1150

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.96959

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BCR198SE6327BTSA1
BCR198SE6327BTSA1
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 190兆赫 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.47571

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.47571

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NSBC113EDXV6T1G
NSBC113EDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.57943

300000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,259.20537

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EMB11T2R
EMB11T2R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.54902

80

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.54902

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DMA261060R
DMA261060R
晶体管类别: 2 PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 300mW 供应商设备包装: Mini5-G3-B

¥3.04202

5699

5-7 工作日

- +

合计: ¥3.04202

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BCR22PNE6327BTSA1
BCR22PNE6327BTSA1
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 250mW 特征频率: 130MHz 供应商设备包装: PG-SOT363-6

¥2.82938

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2.82938

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EMD2T2R
EMD2T2R
晶体管类别: 1个NPN,1个PNP-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 150mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: EMT6

¥3.54902

0

5-7 工作日

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合计: ¥3.54902

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NSBC144EDXV6T1G
NSBC144EDXV6T1G
晶体管类别: 2 NPN-预偏置(双) 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50V 最大功率: 500mW 供应商设备包装: SOT-563

¥0.75181

100

2-3 工作日

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