分立双极结型晶体管 (BJT) 通常用于构建音频、无线电和其他应用中的模拟信号放大功能。作为首批批量生产的半导体器件之一,其特性不如其他器件类型适用于涉及高频开关和高电流或高电压操作的应用,但它们仍然是需要模拟信号再现应用的首选,拥有最小的噪声和失真。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 1.2 A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 220兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.48672 | 33 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.48672 | 立即购买 加入购物车 | ||
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR | ¥2.17287 | 12305 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,162.00565 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 8 A 集电极击穿电压: 200伏 最大功率: 60 W 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥18.32454 | 169 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥91.62269 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 2A 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 500 mW 特征频率: 150MHz 供应商设备包装: SOT-89-3 | ¥0.43457 | 56000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BIP PNP 2A 16V | ¥0.72429 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANS GP BJT NPN 30V 0.1A | ¥0.14486 | 108475 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.87000 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200MHz 供应商设备包装: SOT-23 | ¥1.52101 | 1658 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 625 mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: TO-92 | ¥0.50700 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.21009 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 50 W 供应商设备包装: TO-220 | ¥10.28492 | 1093 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.28492 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 40伏 最大功率: 600 mW 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: TO-92 | ¥2.53502 | 9573 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.53502 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 600 V 最大功率: 75 W 特征频率: 11MHz 供应商设备包装: TO-220-3 | ¥1.59344 | 13000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 625 mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: TO-92-3 | ¥0.43457 | 53090 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON | ¥0.72429 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.57665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | ¥7.53262 | 36720 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.92602 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: 即插即用 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 45伏 最大功率: 300毫瓦 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: SOT-23 | ¥1.52101 | 558 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.52101 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 800 mA 集电极击穿电压: 25伏 最大功率: 625 mW 特征频率: 100MHz 供应商设备包装: TO-92 | ¥0.50700 | 4000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.21009 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 25瓦 特征频率: 15MHz 供应商设备包装: TO-220F | ¥10.86435 | 3060 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.86435 | 添加到BOM 立即询价 | ||
NPN SILICON TRANSISTOR | ¥1.08644 | 6500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | ||
BIP T03 PNP SPECIAL | ¥18.39697 | 1320 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.23895 | 添加到BOM 立即询价 | ||
晶体管类别: PNP-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 1.2 A 集电极击穿电压: 30伏 最大功率: 350毫瓦 特征频率: 220兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3 | ¥0.38460 | 245 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.38460 | 立即购买 加入购物车 |