【场效应晶体管阵列厂家_场效应晶体管阵列型号采购】|第120页-久芯网

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什么是场效应晶体管阵列:

场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管，因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说，FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子，但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。

工作温度:
0摄氏度~70摄氏度（TJ）
-40摄氏度~150摄氏度（TJ）
-40摄氏度~85摄氏度（TJ）
-25摄氏度~125摄氏度（TJ）
-65摄氏度~150摄氏度（TJ）
175摄氏度（TJ）
150摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度（TJ）
150摄氏度
-55摄氏度~125摄氏度
175摄氏度
-55摄氏度~150摄氏度（TA）
0摄氏度~70摄氏度
-50摄氏度~150摄氏度（TJ）
-40摄氏度~175摄氏度（TJ）
150摄氏度（TA）
-40摄氏度～125摄氏度（TC）
-20摄氏度~125摄氏度（TJ）
-55摄氏度~150摄氏度（TJ）
125摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度（TA）
-55摄氏度~150摄氏度
-55摄氏度～155摄氏度（TJ）
-55摄氏度~175摄氏度
更多
漏源电压标 (Vdss):
10.6伏
800V
28伏
200伏
16伏
24伏
12伏
20伏
190伏
40伏
25伏、30伏
150伏
500V
62V
50V
70V
8V
90V
1700伏（1.7千伏）
700V
1000V（1千伏）
30V, 20V
100伏
30V, 12V
55V, 30V
25伏
60V, 50V
33伏
45伏
12伏、20伏
55V
240伏
450伏
75V
20伏、12伏
60V, 100V
650V
30V, 8V
400伏
30V, 25V
10伏
30伏
40V, 200V
25伏、12伏
120伏
60V
80V
300伏
900V
15伏
35伏
60V, 20V
50V, 30V
250伏
600V
85V
1200V（1.2千伏）
60V, 300V
20伏、8伏
100V、80V
更多
漏源电流 (Id) @ 温度:
193A（Tc）
6.5A (Ta)
10A
50A
8A
600毫安, 500毫安
2.4A、1.7A
2.6A
1.9A
6.2A (Ta)
6A (Ta)
590毫安
3.8A (Ta), 2.7A (Ta)
4.8A
5.5A
3.3A
23A
11A
3.8A (Ta)
40毫安, 16毫安
9A
600毫安
100A（Tj）
2.7A，2A
2.2A（Ta）
2.7A
400毫安
4.9A (Ta)
8.6A, 7.3A
4.9A
120A（Tc）
5.6A
3.4A
4A (Ta)
16A、28A
2A
3.5A
4.2A
2.8A
1.5A、1.3A
700毫安 (Tc)
1.3A
7.1A
5A (Ta)
2.17A、1.64A
3.98A, 3.36A
7.2A (Ta)
4.3A
3.6A
2.9A
100毫安
5.8A
8.7A
6.5A
2.9A、2.1A
4A
450毫安, 310毫安
3.7A
6.6A
39A
27A
15A
1.5A
5.5A, 5.8A
2A，1.5A
5A
5.8A (Ta)
5.2A
7A (Ta)
2.5A（Ta）
3.8A
5A, 4A
8.9A (Ta), 24.7A (Tc), 8.9A (Ta), 24.6A (Tc)
10A（Ta）、40A（Ta）
4.5A
300A (Tc)
20A
60A
6A
1.7A
200毫安
3.9A
6.6A, 6.8A
1.9A（Ta）
4.6A
5.3A
6A, 5.5A
8.2A, 32A
9A（Ta）、8.5A（Ta）
80A (Tc)
7A
800毫安 (Ta), 720毫安 (Ta)
6.5A, 4.2A
140毫安
4.1A, 3.4A
220毫安、200毫安
4.7A
3.2A
5.4A
4.9A, 4.1A
更多
制造厂商:
英飞凌 (Infineon)
宝英电源 (Powerex)
罗姆 (Rohm)
Trinamic 运动控制有限公司 (Trinamic Motion)
扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
DComponents (DComponents)
达尔科技 (Diodes rporated)
芯源系统 (Monolithic Power)
恩智浦 (NXP)
艾赛斯.力特 (IXYS)
黑森尔 (Vishay Siliconix)
威恩半导体有限公司 (WeEn)
安盛美 (onsemi)
意法半导体 (STMicroelectronics)
德州仪器 (Texas)
松下 (Panasonic)
三垦电气株式会社 (Sanken)
沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
EPC公司 (EPC)
阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
威世二极管 (Vishay General)
模拟器件公司 (Analog)
领先线性器件 (Advanced Linear)
特朗斯峰 (Transphorm)
松下电子元件 (Panasonic)
安世 (Nexperia)
江苏长电/长晶 (CJ)
安世半导体 (Nexperia)
东芝 (Toshiba)
扬杰 (YANGJIE)
台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
谷峰 (GOFORD)
强茂 (Panjit)
威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
微芯 (Microchip)
瑞特隆 (Rectron)
台舟 (TECH PUBLIC)
基因半导体公司 (GeneSiC)
瑞萨电子 (Renesas)
欧普泰克 (TT)
德欧泰克半导体 (Diotec)
广东友台半导体 (UMW)
微型商业组件 (Micro)
更多
场效应管特性:
逻辑电平门，1.2V驱动
逻辑电平门，10V驱动
碳化硅（SiC）
逻辑电平门，4V驱动
耗尽型
逻辑电平门，5V驱动
逻辑电平门
氮化镓
逻辑电平门，2.5V驱动
超级结
标准
逻辑电平门，0.9V驱动
逻辑电平门，1.8V驱动
逻辑电平门，4.5V驱动
逻辑电平门，1.5V驱动
更多
场效应管类型:
2 N通道（半桥）
3 N通道（相支路+升压斩波器）
4 N-Channel (Three Level Inverter)
4 N-Channel (Half Bridge)
2 N通道（CAS编码）
N和P通道
2 N通道（相位支路）
3 N通道，公共门
2个N和2个P通道匹配对
3 N通道（半桥+同步引导）
5 N-Channel (Solar Inverter)
2个P通道（双）公共源
4 P-Channel, Matched Pair
2 P-通道（双）公共漏极
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
6 N and 6 P-Channel
5 P-Channel, Common Source
2个P通道（双）匹配对
3 N和3 P通道（三相电桥）
2个N通道（双）公共源
2个N和2个P通道（H桥）
4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier
4 P-Channel
6 N-Channel
4 N通道
2 N通道（双）公共漏极
N和P通道，公共漏极
2 N通道（双通道），肖特基
2 N通道（双通道）不对称
2个N和2个P通道
2个P通道（双通道）
4 N-Channel (H-Bridge)
2个N通道（双通道）
N和P通道互补
2个N通道（双）匹配对
4 N-Channel, Matched Pair
2 N通道（双降压斩波器）
8 N-Channel, Common Gate, Common Source
2 N通道
更多
供应商设备包装:
8-VSON (3.3x3.3)
PowerDI3333-8
8-SO
LFPAK56D
PG-DSO-8
SC-70-6
SOT-353
16-PDIP
8-PQFN (5x6)
5-PTAB (3x2.5)
Powerclip-33
6-TSSOP
SC75-6 FLMP
PowerPAK1212-8双
X2-DFN1310-6 (Type B)
EMT6
SC-88
8-TSSOP
SC-88（SC-70-6）
DFN1010B-6
Module
ChipFET
SC-74-6, (Mini Mold)
15-ZIP
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
6-UDFN (2x2)
ES6
6-MicroFET (2x2)
Micro8
TSMT8
EPM15
US6
5-PTAB (5x3.5)
Power56
SC-75，MicroFET
Die
18-BGA（2.5x4）
AG-EASY1B-2
PowerPAKSO-8双不对称
6-CPH
6-PicoStar
8-Power33 (3x3)
SuperSOT-6.
PowerPAKSO-8双
PowerDI3333-8 (Type D)
MicroFET 3x3毫米
SOT-363
8-SOP
12-SIP
8-ECH
PowerPAK1212-8SCD
MicroFET 2x2 Thin
6-SuperMiniMold
TUMT6
14-SOIC
X2-DFN0806-6
1206-8芯片FET
SOT-23-6L
SOT-26
SuperSOT-8.
8-PowerPair (6x5)
DirectFET等距SA
SOT-28FL/ECH8
V-DFN2050-4
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
8-LSON (3.3x3.3)
PG-TDSON-8-57
8-PSOP
8-PDIP
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
16-SOIC
8-DFN (3x3)
SOT-383FL，EMH8
SOT-963
PowerDI5060-8
8-PowerPair
PG-TDSON-8-4
10-WLCSP（2.98x1.49）
532-FCBGA (23x23)
DFN3020B-8
8-SOIC
DIRECTFETSA
UMT6
8-PowerPair (3.3x3.3)
6-PQFN (2x2)
14-PDIP
6-WSON (2x2)
4-FlipChip
6-WLCSP (1x1.5)
SC-59
6-MLP (2x5)
SOT-563
SC-59-5, Mini Mold
TO-252-4
U-qfn515-12
U-DFN2020-6 (Type B)
6-WLCSP (1.3x2.3)
SOT-563F
6-HUSON (2x2)
10-WLCSP（3.54x1.77）
更多

当前"场效应晶体管阵列"共 4485 条相关库存

品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
DMN3033LSDQ-13 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥907.94097	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥907.94097	添加到BOM 立即询价
DMN4031SSDQ-13 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥24.56792	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥24.56792	添加到BOM 立即询价
DMN5L06VK-7A 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安（Ta）供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4,097.51133	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥4,097.51133	添加到BOM 立即询价
DMN5L06VK-13A 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 50V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安（Ta）供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.95366	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥5.95366	添加到BOM 立即询价
DMC2400UV 达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: N和P通道互补场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 1.03A（Ta），700毫安（Ta）供应商设备包装: SOT-563 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.92517	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥4.92517	添加到BOM 立即询价
PHN210,118 恩智浦 (NXP)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥6.02609	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥6.02609	添加到BOM 立即询价
CAS100H12AM1 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)	场效应管类型: 2 N通道（半桥）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏）漏源电流 (Id) @ 温度: 168A 供应商设备包装: Module	¥12.05219	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥12.05219	添加到BOM 立即询价
CAS325M12HM2 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)	场效应管类型: 2 N通道（半桥）场效应管特性: 碳化硅（SiC）漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏）漏源电流 (Id) @ 温度: 444A (Tc) 供应商设备包装: Module 工作温度: 175摄氏度（TJ）	¥3.85322	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥3.85322	添加到BOM 立即询价
IRFI4019H-117P	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 150伏漏源电流 (Id) @ 温度: 8.7A 供应商设备包装: TO-220-5 Full-Pak 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥8.22793	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥8.22793	添加到BOM 立即询价
NTJD4158CT2G 安盛美 (onsemi)	NTJD4158C - COMPLEMENTARY SMALL	¥11.05267	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥11.05267	添加到BOM 立即询价
CSD95373AQ5M 德州仪器 (Texas)	CSD95373AQ5M 45A SYNCHRONOUS BUC	¥16.01640	0	2-3 工作日	- + 合计: ¥16.01640	立即购买加入购物车
PMDT290UCEH 安世半导体 (Nexperia)	PMDT290UCE - 20 / 20 V, 800 / 55	¥10.06763	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥10.06763	添加到BOM 立即询价
FDC6561AN-NB5S007A 安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.5A（Ta）供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥11.67556	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥11.67556	添加到BOM 立即询价
NTMFD0D9N02P1E 安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2 N通道（双通道）不对称场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30V, 25V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、30A（Ta 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.65042	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥3.65042	添加到BOM 立即询价
FDS8984-F40 安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥14.05123	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥14.05123	添加到BOM 立即询价
FDS8978-F40 安盛美 (onsemi)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 标准漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.27379	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥3.27379	添加到BOM 立即询价
FDML7610AS 安盛美 (onsemi)	DUAL N-CH. ER TRENCH MO	¥6.35927	9000	5-7 工作日	- + 合计: ¥6.35927	添加到BOM 立即询价
UPA2560T1H-T1-AT 瑞萨电子 (Renesas)	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-VSOF 工作温度: 150摄氏度（TJ）	¥2.82473	36000	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,160.91921	添加到BOM 立即询价
IRF630A_CP001	IRF630A - 200V N-CHANNEL MOSFET	¥2.89716	227430	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,201.84160	添加到BOM 立即询价
HUFA76504DK8T	场效应管类型: 2个N通道（双通道）场效应管特性: 逻辑电平门漏源电压标 (Vdss): 80V 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.89716	13413	5-7 工作日	- + 合计: ¥2,201.84160	添加到BOM 立即询价

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