场效应晶体管 (FET) 是利用电场控制电流的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极晶体管,因为它们涉及单载流子类型操作。也就是说,FET 在其工作中使用电子或空穴作为电荷载流子,但不能同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下表现出非常高的输入阻抗。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.7A (Ta) 供应商设备包装: DFN3020B-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.89476 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.89476 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道)不对称 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc)、60A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.22650 | 31 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc)、60A(Tc 供应商设备包装: PowerPAKSO-8双不对称 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.22650 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.22650 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(半桥) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A 供应商设备包装: 8-PowerPair (6x5) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.29892 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.29892 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 供应商设备包装: US8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 77500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.58864 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.58864 | 添加到BOM 立即询价 | ||
8.8A, 250V, N-CHANNEL, MOSFET | ¥3.40416 | 42981 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双)公共漏极 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30.5A (Ta), 60A (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8SCD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.80593 | 45 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.80593 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.9A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.40416 | 11107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
PFET, 4.6A I(D), 200V, 0.8OHM, 1 | ¥3.40416 | 2270 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17.6A(Ta)、70A(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.15407 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.15407 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A, 5A 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.24530 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,809.71099 | 添加到BOM 立即询价 | ||
HIGH-SIDE MOSFET DRIVER | ¥3.40416 | 931 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.47265 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.39016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,246.74758 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta) 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.09564 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.09564 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.39016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,902.56497 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta) 供应商设备包装: LFPAK56D 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.16807 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.16807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2 N通道(双通道),肖特基 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、83A(Tc)、34A(Ta 供应商设备包装: 6-PowerPair 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.16807 | 50 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.16807 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL SILICON MOSFET | ¥3.47659 | 25000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.8A, 8.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.46259 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,741.04830 | 添加到BOM 立即询价 |