分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Ta) 最大功耗: 52W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.00201 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.00201 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 28W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.35975 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.35975 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta)、150W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥37.98177 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.98177 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 94W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥44.94944 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥44.94944 | 添加到BOM 立即询价 | ||
漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tj) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.95366 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.95366 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET 200V DIE | ¥23.55391 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.55391 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥6.82281 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.82281 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 181W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-5 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.20040 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.20040 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥46.36905 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.36905 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、33W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.56015 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.56015 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 89W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥95.33105 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.33105 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥9.48820 | 715 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,172.79757 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥22.03290 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.03290 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 71A (Tc) 最大功耗: 70W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥21.84459 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.84459 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 Isolated Tab 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥133.02977 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥133.02977 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta), 54A (Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、150W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥58.73992 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.73992 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A(Tc) 最大功耗: 333W (Tj) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥21.19273 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.19273 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2.27W (Ta), 15W (Tc) 供应商设备包装: DFN2020MD-6 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥20.39601 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.39601 | 添加到BOM 立即询价 | ||
漏源电流 (Id) @ 温度: 95A(Tj) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.64946 | 78000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,175.04287 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥5.40320 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.40320 | 添加到BOM 立即询价 |