分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70毫安 (Ta) 最大功耗: 250mW(Ta) 供应商设备包装: 3-SPA 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.57943 | 5000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥22.35159 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.35159 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 34A (Tc) 最大功耗: 115W(Tc) 供应商设备包装: TO-3PF 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.83202 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.83202 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、20W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥32.02810 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.02810 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: TO-263(D2Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.45539 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.45539 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥34.33135 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.33135 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电流 (Id) @ 温度: 25A(Tj) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥34.70798 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.70798 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥41.13967 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.13967 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.2A (Ta), 44A (Tc) 最大功耗: 120W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥22.27916 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.27916 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、20W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.09372 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.09372 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、36A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥61.30391 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.30391 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.1A (Tc) 最大功耗: 66W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.85274 | 4582 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.88161 | 添加到BOM 立即询价 | ||
漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tj) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.46259 | 60000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,154.76275 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥54.78530 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.78530 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、80A(Tc) 最大功耗: 242W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥19.19369 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.19368 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta)、20A(Tc) 最大功耗: 1.7W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN-EP (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.73782 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.73782 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A (Ta), 54A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、62W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥93.56378 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥93.56378 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.59104 | 67990 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.63391 | 添加到BOM 立即询价 | ||
漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tj) 供应商设备包装: ATPAK 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥17.91894 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.91894 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥9.58960 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.58960 | 添加到BOM 立即询价 |