分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 203A(Tc) 最大功耗: 556W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥23.09037 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.09037 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥14.25403 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.25403 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 120A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 166W (Tc) 供应商设备包装: PowerFlat(5x6) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥30.44915 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.44915 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 12V 10A ECH8 | ¥14.55823 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.55823 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A (Ta), 54A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、62W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.30180 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.30180 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥9.40128 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.40128 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.85178 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.85178 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 186A(Tc) 最大功耗: 341W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥14.06571 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.06571 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥32.66548 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.66548 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tj) 最大功耗: 1.25瓦 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 35991 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.83874 | 添加到BOM 立即询价 | ||
漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Tj) 供应商设备包装: 8-ECH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥10.63258 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.63258 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、90W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥190.41584 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥190.41584 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥61.49222 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.49222 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥40.76304 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.76304 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥23.68428 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.68428 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8A (Ta), 19A (Tc) 最大功耗: 4.2W (Ta), 21W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.61185 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.61185 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR N-CH | ¥37.99625 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.99625 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.5A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥37.25748 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.25748 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 63A (Ta) 最大功耗: 106W(Ta) 供应商设备包装: LFPAK56,Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥58.30535 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥58.30535 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.7A (Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥31.86876 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.86876 | 添加到BOM 立即询价 |