分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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TRANSISTOR N-CH | ¥52.55448 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.55448 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥55.95865 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.95865 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 | ¥1.30372 | 321000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥88.00124 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.00124 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.2A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥62.91183 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥62.91183 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 27W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥75.47102 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.47102 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 32A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥21.91702 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.91702 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR N-CH | ¥63.25949 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.25949 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 2A 30V MCPH3 | ¥1.01401 | 228000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥43.35600 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.35600 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.5A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.99760 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tc) 最大功耗: 24W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.34574 | 204595 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.21574 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.17047 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.17047 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR N-CH | ¥69.67670 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥69.67670 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3-313 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.23378 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.23378 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 3.3W(Ta),56W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.81753 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.81753 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SC-70FL/MCPH3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.15886 | 94458 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,229.65434 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.05506 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.05506 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 175A (Ta) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: DPAK/ATPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.16807 | 22784 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,178.08489 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥17.26707 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.26707 | 添加到BOM 立即询价 |