分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥128.86568 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥128.86568 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 12V 5A MCPH6 | ¥1.30372 | 225000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥85.43725 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥85.43725 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、45A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、60W(Tc) 供应商设备包装: UltraSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥77.54249 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.54249 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR N-CH | ¥5.72189 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.72189 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.2A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SC75-6 FLMP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥86.74097 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.74097 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 220毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: EFCP1313-4CC-037 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.69340 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.69340 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 5A MCPH6 | ¥1.59344 | 270000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.29844 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.29844 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥40.84996 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.84996 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR N-CH | ¥6.88076 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.88076 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 38A (Tc) 最大功耗: 2.1W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: UltraSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥23.09761 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.09761 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 1.9W(Ta) 供应商设备包装: 8-MLP, MicroFET (3x1.9) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥36.46076 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.46076 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH SOT-23 | ¥19.74415 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.74415 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 20V 7A MCPH6 | ¥27.00153 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.00153 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.02178 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.02178 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 最大功耗: 550mW 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥39.48829 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.48829 | 添加到BOM 立即询价 | ||
TRANSISTOR N-CH | ¥9.77792 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.77792 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.80881 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.80881 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.4A(Ta)、49A(Tc) 最大功耗: 2.1W (Ta), 93W (Tc) 供应商设备包装: UltraSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥54.75632 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.75632 | 添加到BOM 立即询价 |