分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.2A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.56207 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.56207 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 22A(Tc) 最大功耗: 250W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥41.41490 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.41490 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.30180 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.30180 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥27.71134 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥27.71134 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 | ¥23.38008 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.38008 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥43.73263 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.73263 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.59008 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.59008 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 68 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 150W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥37.53271 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.53271 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.16855 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.16855 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、57A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥24.94455 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.94455 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 | ¥1.81073 | 50719 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.49145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥14.03674 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.03674 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥41.90742 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.90742 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 209A(Tc) 最大功耗: 556W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AC 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.20865 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.20865 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥46.29662 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥46.29662 | 添加到BOM 立即询价 | ||
漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Tj) 供应商设备包装: 6-CPH 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥1.44858 | 60000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,200.39302 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.3A(Tc) 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-251A 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.24242 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.24242 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH BARE DIE | ¥52.07645 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥52.07645 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.84507 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.84507 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.8A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.23858 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.23858 | 添加到BOM 立即询价 |