分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.93582 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.93582 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 2.7W(Ta)、150W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥45.36953 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥45.36953 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Ta) 最大功耗: 650mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.53502 | 125900 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,152.22774 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta), 28A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、115W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥49.61387 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥49.61387 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 310毫安 (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.19848 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.19848 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 10.8A SO8FL | ¥10.57463 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,818.83705 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 150W(Ta) 供应商设备包装: EMT3F(SOT-416FL) 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥30.13046 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.13046 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta), 19A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、83W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥63.37538 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.37538 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 10.8A 8DFN DL | ¥6.60553 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.60553 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Tc) 最大功耗: 57W (Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.78079 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.78079 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.34622 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.34622 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL | ¥5.93918 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.79997 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Tc) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.21345 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.21345 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 61A (Tc) 最大功耗: 2W (Ta), 171W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥25.37912 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥25.37912 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、90W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥89.13113 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥89.13113 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安(Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: TO-92-3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥18.77360 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.77360 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL | ¥17.29605 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.29605 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Tc) 最大功耗: 225毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥23.42354 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.42354 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 55A (Tc) 最大功耗: 2W (Ta), 96W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.45299 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.45299 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.96479 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.96479 | 添加到BOM 立即询价 |