9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTLUS4930NTBG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTLUS4930NTBG参考价格为0.35000美元。onsemi NTLUS4930NTBG封装/规格：MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN。您可以下载NTLUS4930NTBG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTLUS3C18PZTAG，带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于UDFN-6，该UDFN-6提供Si等技术特性，通道数设计用于1个通道，以及单一配置，该设备还可以用作1.71 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为59 ns，上升时间为52.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为-7A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Vgs第栅极-源阈值电压为-1V，Rds导通漏极-源极电阻为24m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型接通延迟时间为8.5ns，Qg栅极电荷为15.8nC，正向跨导最小值为21.8S，沟道模式为增强。
带有用户指南的NTLUS3C18PZTBG，包括-1V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-8V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-12V，提供典型的开启延迟时间功能，如8.5ns，典型的关闭延迟时间设计为40ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为52.5 ns，器件提供24 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有15.8 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为1.71 W，封装为卷轴式，封装盒为UDFN-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-7A，正向跨导最小值为21.8S，下降时间为59ns，配置为单一，信道模式为增强。
NTLUS3A90PZTBG是IGBT晶体管功率MOSFET 20V 3A 60 MO，包括单配置，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于UDFN-6，以及卷筒封装，该器件也可以用作1.5W Pd功率耗散。此外，该系列为NTLUS3A90P。
