分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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MOSFET N-CH 30V 38A 5DFN | ¥3.40416 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.40416 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥14.21057 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.21057 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.9A(Ta)、78A(Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) | ¥53.27877 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.27877 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC | ¥22.52542 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.52542 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 187W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥39.80698 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.80698 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Ta)、46A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥35.15704 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.15704 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 69A 5DFN | ¥3.47659 | 7500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK | ¥16.68764 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.68764 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 69A 5DFN | ¥7.40224 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.40224 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 52A 5DFN | ¥3.33173 | 10500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65.7A (Tc) 最大功耗: 138W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥147.13227 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥147.13227 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 375A (Ta) 最大功耗: 375W (Ta) 供应商设备包装: LFPAK88(SOT1235) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥36.35936 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥36.35936 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 103W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥12.80545 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.80545 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.5A (Tc) 最大功耗: 8W (Tc) 供应商设备包装: SC-73 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥40.64716 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥40.64716 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 3.7W (Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥91.17363 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥91.17363 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、36A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥26.27724 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥26.27724 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 8DFN 5X6 | ¥11.70453 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.70453 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥68.11223 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥68.11223 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.58816 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.58816 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A(Tc) 最大功耗: 22W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.08644 | 693386 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,222.84601 | 添加到BOM 立即询价 |