分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 260A(Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.67699 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.67699 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N CH 25V 40A POWER33 | ¥30.55055 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.55055 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta)、93A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 79W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.99856 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.99856 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 105A(Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥18.23762 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.23762 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL | ¥14.77552 | 38 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.77552 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 136W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥8.83634 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.83634 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1W (Ta), 26W (Tc) 供应商设备包装: DPAK/TP-FA 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.75086 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.75086 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.34283 | 45 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.34283 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥153.07145 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥153.07145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK | ¥65.01227 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥65.01227 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21.2A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Tc) 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.25931 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.25931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 1W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: DPAK/TP-FA 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.60744 | 145995 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,151.14130 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: Micro6(TSOP-6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥16.12270 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.12270 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥5.14246 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥565.67049 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 40V 24A D2PAK | ¥12.37725 | 800 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9,901.79760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-563/SCH6 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.79672 | 797077 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.79394 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.32A(Ta) 最大功耗: 236毫瓦(Ta) 供应商设备包装: SC-89(SOT-563F) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥86.23397 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥86.23397 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL | ¥4.49060 | 261 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.49060 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 50V 100MA CP3 | ¥0.65186 | 14868 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 230W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥94.37499 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥94.37499 | 添加到BOM 立即询价 |