CoolMOS的更换™ C3是CoolMOS™ 第7页
800V CoolMOS™ C3是英飞凌的第三个CoolMOS系列™ 2001年进入市场。C3是投资组合中的“工作马”。
特色
- 低比导通电阻（RDS（导通）*A）
- 400V时输出电容（Eoss）的储能非常低
- 低栅极电荷（Qg）
- 经现场验证的CoolMOS™ 质量
- 正向电阻™ 自1998年以来，该技术一直由英飞凌制造
- 高效率和功率密度
- 出色的成本/性能
- 高可靠性
- 易于使用
应用
- 消费者
- PC电源
- 适配器
- 照明
- 太阳的
SPP04N80C3XK
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 110
- 库存: 0
- 单价: ¥5.14246
-
数量:
- +
- 总计: ¥565.67
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 供应商设备包装 PG-TO220-3
- 漏源电压标 (Vdss) 800 V
- 最大功耗 63W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 4A (Tc)
- 部件状态 过时的
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 31 nC @ 10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 1.3欧姆@2.5A，10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.9V @ 240A
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 570 pF @ 100 V
SPP04N80C3XK 产品详情
SPP04N80C3XK 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SPP12 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥562.99062 |
| SPP18 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥1,004.44537 |
| SPP13 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥590.00663 |
| SPP14 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥598.77054 |
| SPP15 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥615.57407 |
| SPP17 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥908.69423 |
| SPP20 | 3M (3M) | SCOTCH-BRITE SURFACE PREPARATION | ¥1,073.97721 |
 | SPP2UL4700JLF | TT电子 (TT) | 电阻: 470欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 2W 组成成分: Wirewound 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~200摄氏度 | ¥2.23081 |
| SPP03N60C3XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | LOW POWER_LEGACY | ¥3.9836 |
| SPP1421DMR2G | 安盛美 (onsemi) | MOSFET N-CH SMD | ¥6.95318 |
SPP04N80C3XK所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SPP04N80C3XK 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SPP04N80C3XK价格参考￥5.142459，你可以下载 SPP04N80C3XK中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SPP04N80C3XK规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
