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SPP03N60C3是MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB，包括CoolMOS C3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于SP000681018 SPP3N60C3HKSA1 SP603N60C3XK SP03N60C3XKSA1，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为38 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为3 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.2A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
SPP02N80C3是MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于800 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如25 ns，典型的关闭延迟时间设计为65 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有CoolMOS C3系列，上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为2.7欧姆，Pd功耗为42 W，零件别名为SP000683150 SPP02N80C3XK SPP02N80X3XKSA1，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2A，下降时间为18ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SPP02N60S5是由INF制造的MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220。SPP02N6OS5以TO-220-3封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 1.8A TO-220。
