分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76.7A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK56,Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.73830 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥491.93777 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Ta), 352A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥48.83163 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥48.83163 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.93390 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.93390 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Ta), 352A (Tc) 最大功耗: 3.9W (Ta), 200W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.91989 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.91989 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.24194 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.24194 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Ta), 315A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 167W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥72.87806 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥72.87806 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (3x3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.70165 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.70165 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.03671 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.03671 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta), 29A (Tc) 最大功耗: 135W(Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.93726 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.93726 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 48A (Ta), 315A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 167W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥19.58480 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.58480 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH TO251A | ¥53.01803 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥53.01803 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 61A (Tc) 最大功耗: 87W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.68651 | 0 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥11.68651 | 立即购买 加入购物车 | ||
MOSFET N-CH 40V 75A SO8FL | ¥2.67987 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A (Ta), 127A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥16.39793 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥16.39793 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥41.37145 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥41.37145 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.4A (Tc) 最大功耗: 86W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.70450 | 146 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.70450 | 立即购买 加入购物车 | ||
MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC | ¥4.12845 | 426 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.12845 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A (Ta), 127A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 83W (Tc) 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.14150 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.14150 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A(Tc) 最大功耗: 278W(Tc) 供应商设备包装: TO-220 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥10.44426 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.44426 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.73734 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.73734 | 添加到BOM 立即询价 |