分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.83682 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.83682 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Tc) 最大功耗: 37W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.52101 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,194.81599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、50A(Tc) 最大功耗: 1.9W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥70.51687 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥70.51687 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A(Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.89716 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,201.84160 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH DPAK | ¥23.00345 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥23.00345 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9.1A (Tc) 最大功耗: 74W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.39016 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,912.12560 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥76.26774 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥76.26774 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 104W(Tc) 供应商设备包装: TO-252(DPak) 工作温度: -50摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.08500 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.08500 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Tc) 最大功耗: 48W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO252-3 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.73830 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥33.02762 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 25.5A(Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥57.97217 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥57.97217 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 1W(Ta),19W(Tc) 供应商设备包装: IPAK/TP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥35.57713 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥35.57713 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13A(Ta)、30A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta)、31W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.44279 | 20 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.44279 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A(Ta) 最大功耗: 1W (Ta), 38W (Tc) 供应商设备包装: IPAK/TP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥2.60744 | 25500 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,151.14130 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、41A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),25W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥132.26984 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥132.26984 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 66A (Tc) 最大功耗: 138W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 2773 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Tc) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.60989 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.60989 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 27A(Ta)、68A(Tc) 最大功耗: 5.7W (Ta), 35.5W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.30813 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.30813 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 67A (Tc) 最大功耗: 157W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.83874 | 684 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,625.69611 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Tc) 最大功耗: 2W(Tc) 供应商设备包装: SOT-223 (TO-261) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥47.26717 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥47.26717 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A(Ta)、32A(Tc) 最大功耗: 6W (Ta), 25W (Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥4.99760 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 |