分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 400毫安 (Tc) 最大功耗: 190mW(Ta),200mW(Tc) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥63.63612 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.63612 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.44570 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.44570 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 50V 100MA SMD | ¥31.07204 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.07204 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 900毫安 (Tc) 最大功耗: 340mW (Ta), 370mW (Tc) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.84411 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.84411 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL | ¥3.83874 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,165.04767 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 69W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥9.67651 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.67651 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 15000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300毫安 (Ta) 最大功耗: 200mW 供应商设备包装: UMT3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥17.10773 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.10773 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 50 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 150mW(Ta) 供应商设备包装: MCP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.65186 | 54300 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.86637 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 18.5A(Ta) 最大功耗: 88W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥11.08164 | 123 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.08164 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 8 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 860毫安 (Ta) 最大功耗: 290mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥97.40252 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥97.40252 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥10.93678 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.93678 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥61.10110 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥61.10110 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 850毫安 (Ta) 最大功耗: 290mW(Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥95.80908 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥95.80908 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 13A 8WDFN | ¥1.88315 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,143.02925 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 50V 100MA SSFP3 | ¥54.55352 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥54.55352 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A(Ta) 最大功耗: 568mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥88.46478 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥88.46478 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 50V 100MA SMD | ¥8.86531 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.86531 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.2A(Ta)、70A(Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 100W (Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.74990 | 141 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.74990 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥15.32598 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.32598 | 添加到BOM 立即询价 |