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什么是分立场效应晶体管 (FET):

分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用，其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用，高于该电压的其他器件类型（例如 IGBT）将变得更具竞争力。

工作温度:
  • -25摄氏度~125摄氏度（TJ）
  • -25摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 175摄氏度（TJ）
  • 150摄氏度（TJ）
  • 150摄氏度
  • -55摄氏度~125摄氏度
  • 175摄氏度
  • -50摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 150摄氏度（TA）
  • -60摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • -55摄氏度~125摄氏度（TJ）
  • -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • -65摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 125摄氏度（TJ）
  • -55摄氏度~175摄氏度（TA）
  • -50摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • -55摄氏度~110摄氏度（TA）
  • -40摄氏度~125摄氏度（TJ）
  • 0摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • -55摄氏度~150摄氏度（TA）
  • -55摄氏度 ~ 135摄氏度（TJ）
  • -40摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • -55摄氏度~200摄氏度（TJ）
  • -55摄氏度~185摄氏度（TJ）
  • -40摄氏度~110摄氏度（TA）
  • -55摄氏度~150摄氏度
  • -55摄氏度~125摄氏度（TA）
  • -55摄氏度～155摄氏度（TJ）
  • -55摄氏度~175摄氏度
  • -55摄氏度~225摄氏度（TJ）
  • -40摄氏度~85摄氏度（TA）
更多
最大功耗:
  • 130W（Tc）
  • 175W（Tc）
  • 1W（Ta）
  • 96W（Tc）
  • 2.5W（Ta）、37W（Tc）
  • 300mW (Ta)
  • 227W（Tc）
  • 560mW (Ta), 12.5W (Tc)
  • 165瓦
  • 242W（Tc）
  • 298mW（Ta）
  • 3.7W (Ta), 43W (Tc)
  • 3W (Ta), 125W (Tc)
  • 3.8W (Ta), 94W (Tc)
  • 60W (Tc)
  • 350mW (Ta)
  • 33.8W (Tc)
  • 99W（Tc）
  • 125W（Tc）
  • 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
  • 580W (Tc)
  • 30W (Tc)
  • 550W (Tc)
  • 2.8W（Ta）
  • 950毫瓦（Ta）
  • 2.5W（Ta）、25W（Tc）
  • 115W（Tc）
  • 1.1W（Ta）
  • 500W (Tc)
  • 481W (Tc)
  • 1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
  • 54W (Tc)
  • 120mW（Ta）
  • 470W (Tc)
  • 42W (Tc)
  • 1.25W（Ta）
  • 2.8W（Ta）、189W（Tc）
  • 1.7W（Ta）
  • 200W（Tc）
  • 2.3W（Ta）、31W（Tc）
  • 298W（Tc）
  • 85W (Tc)
  • 360mW (Ta)
  • 690W (Tc)
  • 3.2W（Ta）、156W（Tc）
  • 91W（Tc）
  • 1.6W（Ta）
  • 326W (Tc)
  • 45W (Tc)
  • 75W (Tc)
  • 35W (Tc)
  • 1.5W（Ta）
  • 320mW (Ta)
  • 135W（Tc）
  • 78W (Tc)
  • 68W (Tc)
  • 2.5W（Ta）
  • 417W (Tc)
  • 38W (Tc)
  • 56.8W (Tc)
  • 2.1W（Ta）、60W（Tc）
  • 333W (Tc)
  • 3W (Ta), 25W (Tc)
  • 207W（Tc）
  • 2.1W（Ta）、113W（Tc）
  • 220W（Tc）
  • 6.2W (Ta), 60W (Tc)
  • 103W（Tc）
  • 250W（Tc）
  • 3.1W（Ta）、32W（Tc）
  • 2.3W（Ta）、54W（Tc）
  • 2.14W（Ta）
  • 150mW（Ta）
  • 1.98W（Ta），9.6W（Tc）
  • 208W（Tc）
  • 500mW (Ta)
  • 462W (Tc)
  • 50W (Tc)
  • 800mW (Ta)
  • 1.3W（Ta）
  • 830mW (Tc)
  • 1W（Tc）
  • 1.8W（Ta）
  • 3.8W (Ta), 200W (Tc)
  • 1.2W（Ta）
  • 110W（Tc）
  • 1.9W（Ta）
  • 254.2W（Tc）
  • 123W（Tc）
  • 86W (Tc)
  • 3.1W（Ta）
  • 417mW (Ta)
  • 107W（Tc）
  • 74W (Tc)
  • 520W (Tc)
  • 2W（Ta）
  • 180W（Tc）
  • 2.3W（Ta），50W（Tc）
  • 2.5W（Ta），50W（Tc）
  • 300W (Tc)
更多
漏源电压标 (Vdss):
  • 1200伏
  • 220伏
  • 28伏
  • 50 V
  • 200伏
  • 530 V
  • 16伏
  • 135伏
  • 52 V
  • 24伏
  • 75 V
  • 115伏
  • 36伏
  • 12伏
  • 20伏
  • 190伏
  • 40伏
  • 170伏
  • 150伏
  • 130伏
  • 90 V
  • 2200伏
  • 4500伏
  • 1050伏
  • 1500伏
  • 560 V
  • 1100伏
  • 330伏
  • 100伏
  • 520 V
  • 49伏
  • 5 V
  • 65 V
  • 25伏
  • 33伏
  • 45伏
  • 16.5伏
  • 9 V
  • 415伏
  • 280伏
  • 80 V
  • 2500伏
  • 240伏
  • 175伏
  • 450伏
  • 620 V
  • 59 V
  • 400伏
  • 800 V
  • 550 V
  • 2000伏
  • 1400伏
  • 3300伏
  • 18伏
  • 38伏
  • 125伏
  • 14伏
  • 55 V
  • 105伏
  • 34伏
  • 180伏
  • 10伏
  • 30伏
  • 160伏
  • 650 V
  • 70 V
  • 900 V
  • 120伏
  • 750 V
  • 1000伏
  • 350伏
  • 950伏
  • 4700 V
  • 4000伏
  • 68 V
  • 600 V
  • 300伏
  • 850 V
  • 1700伏
  • 110伏
  • 275伏
  • 60 V
  • 85 V
  • 500 V
  • 15伏
  • 6 V
  • 35伏
  • 525 V
  • 8 V
  • 700 V
  • 43伏
  • 250伏
  • 3000伏
  • 230伏
  • 640 V
  • 480伏
更多
漏源电流 (Id) @ 温度:
  • 41A (Tc)
  • 31A (Tc)
  • 84A (Tc)
  • 64A (Tc)
  • 37.9A (Tc)
  • 8.6A (Tc)
  • 6.2A (Ta)
  • 54A (Tc)
  • 8A (Tc)
  • 1.2A（Tj）
  • 6A (Ta)
  • 22A（Tc）
  • 61A (Tc)
  • 3.8A (Ta)
  • 77A (Tc)
  • 21A（Tc）
  • 2.2A（Ta）
  • 200A（Tc）
  • 2A（Ta）
  • 45A (Ta), 100A (Tc)
  • 4.3A (Ta)
  • 15A（Ta）
  • 120A（Tc）
  • 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
  • 5.6A (Tc)
  • 4A (Ta)
  • 5.5A (Ta)
  • 4.5A (Tc)
  • 3.4A（Ta）
  • 300毫安 (Ta)
  • 135A（Tc）
  • 8.6A (Ta)
  • 49A (Tc)
  • 3A (Tc)
  • 94A（Tc）
  • 2.3A（Ta）
  • 25A（Tc）
  • 160A（Tc）
  • 200毫安（Ta）
  • 5.6A (Ta)
  • 32A (Tc)
  • 1A（Ta）
  • 4.1A (Ta)
  • 800毫安 (Ta)
  • 10A（Ta）
  • 15A（Tc）
  • 7.2A (Ta)
  • 100A（Tc）
  • 7.7A (Tc)
  • 55A (Tc)
  • 12A（Tc）
  • 13A（Ta）、30A（Tc）
  • 5.5A (Tc)
  • 28A（Tc）
  • 4.5A (Ta)
  • 140A（Tc）
  • 1.7A（Ta）
  • 48A (Tc)
  • 9.5A (Tc)
  • 5.2A (Tc)
  • 1.9A（Tc）
  • 2.6A（Ta）
  • 1.6A（Ta）
  • 25A（Ta）、28A（Tc）
  • 100毫安（Ta）
  • 85A (Tc)
  • 9.2A (Tc)
  • 30A (Tc)
  • 50A (Tc)
  • 70A (Tc)
  • 24A（Ta）、162A（Tc）
  • 10A（Ta）、12A（Tc）
  • 5.8A (Ta)
  • 35毫安 (Ta)
  • 530毫安 (Tj)
  • 9A（Tc）
  • 2.8A（Ta）
  • 16A（Tc）
  • 23A（Ta）
  • 65A (Tc)
  • 20.7A（Tc）
  • 11A（Tc）
  • 2.7A（Tc）
  • 76A (Tc)
  • 14A（Ta）
  • 22A（Ta）、160A（Tc）
  • 209A（Tc）
  • 140毫安（Ta）
  • 13A（Ta）、50A（Tc）
  • 47A (Tc)
  • 13A（Ta）、40A（Tc）
  • 350毫安 (Ta)
  • 26A（Tc）
  • 3.2A（Ta）
  • 20A（Tc）
  • 3.5A（Ta）
  • 2A（Tc）
  • 52A (Tc)
  • 5.1A (Tc)
  • 96A（Tc）
更多
制造厂商:
  • 瞻芯电子 (Inventchip)
  • 恩智浦 (NXP)
  • 光宇睿芯 (SINO-IC)
  • 韦尔 (WILLSEMI)
  • 西门子 (Siemens)
  • 沃尔夫斯皮德公司 (Wolfspeed)
  • 中央半导体 (Central)
  • 赛米奇公司 (SemiQ)
  • 合科泰 (Hottech)
  • 特朗斯峰 (Transphorm)
  • 南京微盟 (MICRONE)
  • 安世半导体 (Nexperia)
  • 东芝 (Toshiba)
  • 扬杰 (YANGJIE)
  • 华科 (HUAKE)
  • 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 伯恩半导体 (BORN)
  • 瑞森半导体 (REASUNOS)
  • 高福德 (Goford)
  • 力特 (Littelfuse)
  • 威兆 (Vanguard)
  • 静芯微 (ElecSuper)
  • 科信 (KEXIN)
  • 恒佳兴 (HX)
  • 安森德 (Ascend)
  • 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 德昌 (TC)
  • 无锡新洁能 (NCE)
  • 德州仪器 (Texas)
  • 霍尼韦尔航天 (Honeywell)
  • 信安 (Truesemi)
  • 阿尔法和欧米茄 (Alpha & Omega)
  • 固态公司 (Solid State )
  • 杰盛微 (JSMSEMI)
  • 美国怀格 (Vicor)
  • 华羿微 (HUAYI)
  • 模拟器件公司 (Analog)
  • 蓝箭 (BLUE ROCKET)
  • 安世 (Nexperia)
  • 捷捷微 (JJW)
  • 泰德 (code)
  • 罗切斯特电子 (Rochester)
  • 锐骏半导体 (Ruichips)
  • 萨科微 (Slkor)
  • 基因半导体公司 (GeneSiC)
  • 上海贝岭 (BL)
  • 富信 (FOSAN)
  • 士兰微 (SILAN)
  • 乐山无线电 (LRC)
  • 微型商业组件 (Micro)
  • 英飞凌 (Infineon)
  • 司坦森 (STANSON)
  • 扬州扬杰 (Yangzhou Yangjie)
  • 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 华轩阳电子 (HXY MOSFET)
  • 安盛美 (onsemi)
  • 意法半导体 (STMicroelectronics)
  • 威世二极管 (Vishay General)
  • 源芯半导体 (SPS)
  • 松下电子元件 (Panasonic)
  • 谷峰 (GOFORD)
  • 强茂 (Panjit)
  • 微芯 (Microchip)
  • 瑞特隆 (Rectron)
  • 欧普泰克 (TT)
  • 铨力 (ALLPOWER)
  • 美国微芯 (MICROCHIP)
  • 芯导 (Prisemi)
  • 特瑞仕 (Torex)
  • 时科 (SHIKUES)
  • NTE电子 (NTE)
  • 罗姆 (Rohm)
  • 迪浦 (PUOLOP)
  • DComponents (DComponents)
  • 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • KUU电子科技 (KUU)
  • 富芯森美 (FUXINSEMI)
  • 华润微 (CRMICRO)
  • 碳化硅（SiC）功率半导体制造商 (UnitedSiC)
  • 三垦电气株式会社 (Sanken)
  • 华朔 (HUASHUO)
  • 平晶微 (PJSEMI)
  • 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor)
  • EPC公司 (EPC)
  • 江苏长电/长晶 (CJ)
  • 微硕 (WINSOK)
  • 台湾典琦科技股份有限公司 (Comchip)
  • 美森科 (MSKSEMI)
  • 富晶 (FORTUNE)
  • 台舟 (TECH PUBLIC)
  • 瑞萨电子 (Renesas)
  • 德欧泰克半导体 (Diotec)
  • 广东友台半导体 (UMW)
  • 迈凌微 (MaxLinear)
  • 固得沃克 (GOODWORK)
  • 佳尔科工业电子 (Galco)
  • 思佳讯商贸 (Skyworks)
更多
场效应管类型:
  • P-通道
  • n通道
供应商设备包装:
  • Micro6（SOT23-6）
  • PowerDI3333-8
  • 8-SO
  • 6-TSOP
  • SC-70-3
  • TO-263-7
  • Power33
  • TO-247N
  • DPAK (TO-263)
  • PG-SOT-23-3
  • SOT-23-6
  • SOT-23-3
  • 8-DFN (5x6)
  • TO-220AB Full-Pak
  • SOT-223
  • 4-HVMDIP
  • TO-39
  • TO-268HV (IXFT)
  • PG-TDSON-8 FL
  • TO-252（DPak）
  • PG-TO263-3-2
  • PG-TO220-3-1
  • Micro6（TSOP-6）
  • TO-263（D2Pak）
  • ES6
  • TSMT3
  • 3-PFN（8x8）
  • TO-268AA
  • SOT-89
  • TO-220-3
  • TO-247-4
  • TO-247-3
  • TO-220
  • Die
  • PG-SOT223-4
  • SOT-89-3
  • DFN2020MD-6
  • MPT3
  • 6-CPH
  • DirectFET等距M4
  • TO-263AA
  • SuperSOT-6.
  • TO-92
  • TO-247-4L
  • PG-TO252-3
  • DIRECTFETMX
  • TO-220FP
  • 8-DFN-EP (3x3)
  • TO-92-3
  • VMT3
  • TO-247 (IXTH)
  • 6-DFN (2x2)
  • PG-SC59-3
  • 8-HSOP
  • TUMT3
  • TO-251AA
  • PG-TO220-3
  • 4-DSBGA（1x1）
  • 3-XLLGA（0.62-0.62）
  • SOT-23
  • 8-Dual Cool88
  • DPAK
  • D2PAK
  • 6-UDFNB (2x2)
  • PG-TO247-3
  • TO-220F-3
  • SOT-223-3
  • SOT-223-4
  • D-Pak
  • TO-264 (IXTK)
  • IPAK (TO-251AA)
  • PowerFlat（8x8）高压
  • TO-220AB
  • TO-236AB
  • 4-PICOSTAR
  • Power88
  • D-PAK (TO-252)
  • TO-247AD (IXFH)
  • TO-3P
  • 8-SOP Advance (5x5)
  • PG-TSON-8-4
  • 3-PICOSTAR
  • PG-TO247-3-1
  • TO-247AC
  • TO-262
  • TO-3PN
  • U-dfn1161-6
  • 8-SOIC
  • PowerDI3333-8 (Type UX)
  • U-WLB1010-4
  • UFM
  • PG-TO252-3-11
  • 6-PQFN (2x2)
  • 9-DSBGA
  • PG-TO220-FP
  • TO-252-3
  • 3-XDFN（0.42x0.62）
  • PG-SOT89-4-2
  • SOT-323
  • PLUS247-3.
更多
当前"分立场效应晶体管 (FET)"共 36825 条相关库存
久芯自营
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品牌型号
描述
价格
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操作
SI3475DV-T1-GE3
SI3475DV-T1-GE3
SI3475DV-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 950毫安（Tc） 供应商设备包装: 6-TSOP

¥68.09775

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥68.09775

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STE60N105DK5
STE60N105DK5
STE60N105DK5 意法半导体 (STMicroelectronics)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1050伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 46A (Tc) 最大功耗: 680W (Tc) 供应商设备包装: ISOTOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）

¥30.14495

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥30.14495

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NTLUS3C18PZTBG
NTLUS3C18PZTBG
NTLUS3C18PZTBG 安盛美 (onsemi)
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 12伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Ta) 最大功耗: 660mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (1.6x1.6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）

¥2.96959

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,194.52627

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SI3805DV-T1-GE3
SI3805DV-T1-GE3
SI3805DV-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A（Tc） 最大功耗: 1.1W（Ta）、1.4W（Tc） 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）

¥12.51573

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥12.51573

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SI4004DY-T1-GE3
SI4004DY-T1-GE3
SI4004DY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12A（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC

¥56.65396

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥56.65396

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RJK0851DPB-WS#J5
RJK0851DPB-WS#J5
RJK0851DPB-WS#J5 瑞萨电子 (Renesas)
IGBT

¥13.93534

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥13.93534

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NTLUS4C12NTBG
NTLUS4C12NTBG
NTLUS4C12NTBG 安盛美 (onsemi)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.8A (Ta) 最大功耗: 630mW (Ta) 供应商设备包装: 6-UDFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）

¥85.82837

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥85.82837

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STF260N4F7
STF260N4F7
STF260N4F7 意法半导体 (STMicroelectronics)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）

¥14.54374

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.54374

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SI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3
SI4102DY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.8A (Tc) 最大功耗: 2.4W（Ta）、4.8W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）

¥31.12998

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥31.12998

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RJK0853DPB-WS#J5
RJK0853DPB-WS#J5
RJK0853DPB-WS#J5 瑞萨电子 (Renesas)
IGBT

¥81.98963

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥81.98963

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STF5NK65Z
STF5NK65Z
STF5NK65Z 意法半导体 (STMicroelectronics)
MOSFET

¥14.25403

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥14.25403

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SI4104DY-T1-GE3
SI4104DY-T1-GE3
SI4104DY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.6A (Tc) 最大功耗: 2.5W（Ta），5W（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）

¥16.05027

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥16.05027

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RQK0608BQDQS#H1
RQK0608BQDQS#H1
RQK0608BQDQS#H1 瑞萨电子 (Renesas)
MOSFET

¥46.91951

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥46.91951

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NTMFS4962NFT1G
NTMFS4962NFT1G
NTMFS4962NFT1G 安盛美 (onsemi)
MOSFET N-CH 30V SO8FL

¥9.63306

6000

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,177.07088

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PH9030L,115
PH9030L,115
PH9030L,115 恩智浦 (NXP)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 63A (Tc) 最大功耗: 62.5W (Tc) 供应商设备包装: LFPAK56，Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）

¥29.34823

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥29.34823

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SI4190DY-T1-GE3
SI4190DY-T1-GE3
SI4190DY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A（Tc） 供应商设备包装: 8-SOIC

¥33.56360

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥33.56360

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STH110N8F7-2
STH110N8F7-2
STH110N8F7-2 意法半导体 (STMicroelectronics)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 170W（Tc） 供应商设备包装: H2Pak-2 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）

¥48.75920

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥48.75920

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RJK03M3DPA-WS#J5A
RJK03M3DPA-WS#J5A
RJK03M3DPA-WS#J5A 瑞萨电子 (Renesas)
IGBT

¥40.84996

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥40.84996

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SI4403BDY-T1-GE3
SI4403BDY-T1-GE3
SI4403BDY-T1-GE3 黑森尔 (Vishay Siliconix)
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.3A (Ta) 最大功耗: 1.35W（Ta） 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）

¥37.47477

9000

5-7 工作日

- +

合计: ¥37.47477

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NTMFS4C01NT1G
NTMFS4C01NT1G
NTMFS4C01NT1G 安盛美 (onsemi)
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 47A (Ta), 303A (Tc) 最大功耗: 3.2W（Ta）、134W（Tc） 供应商设备包装: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）

¥21.29413

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥2,172.00085

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