分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.82233 | 37650 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 16A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),25W(Tc) 供应商设备包装: DFN5x6(PR-PAK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥55.27781 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥55.27781 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.7A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.40126 | 500 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.40126 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta)、65A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、100W(Tc) 供应商设备包装: UltraSO-8 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥164.22552 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥164.22552 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥28.40665 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.40665 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: I-PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.82233 | 32775 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.91695 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.91695 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.5W(Ta) 供应商设备包装: 6-DFN (2x2) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥30.63747 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥30.63747 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 1.7W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥28.73983 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.73983 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 114W(Tc) 供应商设备包装: DPAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.82233 | 37626 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,174.60830 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥8.73494 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥8.73494 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.74256 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.74256 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 35W (Tc) 供应商设备包装: TO-220 Full Pack 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥43.42843 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥43.42843 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Ta) 最大功耗: 2.8W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥201.25122 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥201.25122 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 170毫安(Ta) 最大功耗: 370mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.34622 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.34622 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 24V 100A DPAK | ¥12.21153 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.21153 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥9.93726 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.93726 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.6A (Ta) 供应商设备包装: Die 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥20.70021 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥20.70021 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥11.13958 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥11.13958 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.27235 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.27235 | 添加到BOM 立即询价 |