9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NTMFD4C50NT3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NTMFD4C50NT3G参考价格$2.388。onsemi NTMFD4C50NT3G封装/规格：MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN DL。您可以下载NTMFD4C50NT3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NTMFD4C20NT1G是MOSFET 2N-CH 30V SO8FL，包括NTMFD4C20N系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.001319盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计为在8-PowerTDFN中工作，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该设备采用8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）供应商设备包，该设备具有2 N通道（双）FET类型，最大功率为1.09W，1.15W，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis Vds为970pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为9.1A，13.7A时，Rds最大Id Vgs为7.3 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为2.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.3nC@4.5V，Id连续漏极电流为12 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为7.3 m欧姆，晶体管极性为N沟道。
带有用户指南的NTMFD4C20NT3G，包括2.1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与Si技术一起工作。数据表说明中显示了用于8-DFN（5x6）双标志（SO8FL双非对称）的供应商设备包，该产品提供了NTMFD4C20N、Rds on Max Id Vgs等系列功能，设计为在7.3 mOhm@10A、10V以及1.09W、1.15W最大功率下工作，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为8-PowerTDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，输入电容Ciss Vds为970pF@15V，栅极电荷Qg Vgs为9.3nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏电流Id为9.1A，13.7A。
带有电路图的NTMFD4952NFT3G，包括卷筒包装，它们设计为与NTMFD495 2NFT3G系列一起工作，技术如数据表注释所示，用于Si。
