分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Tc) 最大功耗: 42W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.01401 | 416723 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),37W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3FS 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.74990 | 1097 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,177.72274 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V 8DFN | ¥83.35562 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥83.35562 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH PLUS247 | ¥4.49060 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.49060 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40毫安 (Ta) 最大功耗: 1.39W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23A-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.80903 | 493 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.80903 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.9A (Ta), 31A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.23129 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥893.91872 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.95031 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.95031 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A(Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.01401 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,250.07931 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Tc) 最大功耗: 2W(Ta),35W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3FS 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥7.09804 | 1250 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,179.09889 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V 8DFN | ¥56.14696 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥56.14696 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH PLUS247 | ¥5.46115 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.46115 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥18.31005 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥18.31005 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、20A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、78W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥24.43755 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥24.43755 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH DFN-3 | ¥12.58816 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.58816 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Tc) 最大功耗: 26W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO251-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.86915 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,089.43179 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta)、170W(Tc) 供应商设备包装: TO-3P-3L 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥78.81724 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥78.81724 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Ta)、85A(Tc) 最大功耗: 2.3W(Ta),83W(Tc) 供应商设备包装: 8-DFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.35207 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.35207 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥15.63018 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.63018 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A(Ta) 最大功耗: 3.1W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.86003 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.86003 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、69W(Tc) 供应商设备包装: PG-TSDSON-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.47659 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,390.63680 | 添加到BOM 立即询价 |