9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFX80N15Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFX80N15Q参考价格为0.754美元。IXYS IXFX80N15Q封装/规格：MOSFET N-CH PLUS247。您可以下载IXFX80N15Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFX73N30Q是MOSFET 73 Amps 300V 0.042 Rds，包括IXFX73N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为73A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-电源电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为82ns，典型接通延迟时间为37ns，沟道模式为增强。
IXFX74N50P2是MOSFET PolarP2功率MOSFET，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.257500盎司，提供晶体管类型功能，如1 N通道，晶体管极性设计用于N通道，以及Polar2 HiPerFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为IXFX74N50，该器件的漏极电阻为77 mOhms Rds，该器件具有1.4 kW的Pd功耗，封装为管式，封装外壳为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为74 A，配置为单一。
IXFX66N85X是MOSFET 850V超结X级Pwr MOSFET，包括管封装，它们设计用于硅技术，产品名称显示在数据表注释中，用于HiPerFET。
IXFX73N30，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFX73N30采用TO-247-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247。
