9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT50N85XHV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT50N85XHV参考价格为19.06000美元。IXYS IXFT50N85XHV封装/规格：MOSFET N-CH 850V 50A TO268。您可以下载IXFT50N85XHV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT44N50P是MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3，包括IXFT44N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及TO-268-2封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为650 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为29 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为44A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型接通延迟时间为28ns，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强。
IXFT4N100Q是MOSFET 4安培1000V 2.8 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在1000 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为32 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT4N100系列，上升时间为15ns，漏极电阻Rds为3欧姆，Pd功耗为150W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为4 A，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT44N50Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A，包括单一配置，它们设计为以44A Id连续漏电流运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了多个信道功能，如1信道，封装外壳设计为在to-268-2中工作，该器件也可以用作830W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为93 nC，器件的漏极-源极电阻为140 mOhms Rds，器件的上升时间为250 ns，系列为IXFT44N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，Vgs栅极-源极电压为30V。
