9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT170N25X3HV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT170N25X3HV参考价格21.95000美元。IXYS IXFT170N25X3HV封装/规格：MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV。您可以下载IXFT170N25X3HV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT16N120P是MOSFET 16安培1200V 1 Rds，包括IXFT16N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为660 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为950mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为66ns，典型接通延迟时间为35ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导最小值为11S，并且信道模式是增强。
IXFT15N80Q是MOSFET 15安培800V 0.6 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在800 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为53 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT15N80系列，上升时间为27纳秒，漏极上的Rds源极电阻为600毫欧，Pd功耗为300瓦，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，信道数为1信道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为15 A，下降时间为16 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT16N80P是MOSFET 16安培800V 0.6 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了用于29纳秒的下降时间，提供了连续漏电流特性，如16 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为460 W，漏极-源极电阻Rds为600 mOhms，上升时间为32 ns，系列为IXFT16N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为27ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFT16N90Q是MOSFET 16安培900V 0.65 Rds，包括管封装，它们设计为与to-268-2封装盒一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供了单一等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFT16N90系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有900V的Vds漏极-源极击穿电压，Rds漏极漏极-漏极电阻为650mOhms，典型关断延迟时间为56ns，Pd功耗为360W，上升时间为24ns，典型开启延迟时间为21ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏电流为16 A，下降时间为14 ns，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.158733盎司，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。
