9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN130N90SK，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN130N90SK参考价格为145.83100美元。IXYS IXFN130N90SK封装/规格：SICARBIDE-DISPROTE MOSFET SOT-22。您可以下载IXFN130N90SK英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFN120N65X2带有引脚细节，包括管封装，设计用于1.340411盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供HiPerFET等商标功能，封装外壳设计用于SOT-227-4以及Si技术，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为890W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为12ns，上升时间为23ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30V，Id连续漏极电流为108A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为2.7V，Rds漏极-源极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为64ns，Qg栅极电荷为225nC，正向跨导Min为46S，沟道模式为增强。
IXFN120N10，带有IXYS制造的用户指南。IXFN120N10在模块包中提供，是模块的一部分。
IXFN120N20，电路图由IXYS制造。IXFN120N20在模块封装中提供，是模块的一部分，N沟道200V 120A（Tc）600W（Tc）底盘安装SOT-227B，Trans-MOSFET N-CH Si 200V 120V 4引脚SOT-227A，MOSFET 200V 120B。
