分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.3A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥77.02100 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥77.02100 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH ISOPLUS247 | ¥17.87548 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.87548 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-89 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥13.73254 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.73254 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Ta)、40A(Tc) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥15.68812 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥15.68812 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 265A(Tc) 最大功耗: 395W (Tc) 供应商设备包装: I2PAK (TO-262) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥34.36032 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.36032 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.30372 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,212.41623 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V 6.5A SOP8 | ¥4.14294 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.14294 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 1.65W(Ta),90W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-2 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥32.88277 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥32.88277 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 30V SC70-3 | ¥75.63036 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.63036 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH TO268 | ¥13.66011 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.66011 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SOT-89 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥17.12222 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.12222 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.5A(Ta)、21A(Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.22841 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.22841 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: PG-TSOP6-6 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.86771 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.86771 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH 60V SOT23-3 | ¥10.00969 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥10.00969 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A(Ta) 最大功耗: 1.65W(Ta),90W(Tc) 供应商设备包装: TO-262-3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥13.10965 | 14649 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,176.20173 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 360W (Tc) 供应商设备包装: PLUS247-3. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥39.54623 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥39.54623 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.2A(Ta) 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥6.06183 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥6.06183 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta)、25W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.65627 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.65627 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP | ¥14.70309 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.70309 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 400伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 210毫安(Ta) 最大功耗: 1.8W(Ta) 供应商设备包装: PG-SOT223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 51000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,197.49586 | 添加到BOM 立即询价 |