分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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MOSFET N-CH ISOPLUS247 | ¥9.77792 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥9.77792 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 280毫安 (Tc) 最大功耗: 300mW (Tc) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -65摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥34.30237 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥34.30237 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-89 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥97.24318 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥97.24318 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.7A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥28.39217 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥28.39217 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 45伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥14.31197 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥14.31197 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1500伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4A (Ta) 最大功耗: 3W (Ta), 65W (Tc) 供应商设备包装: TO-3PF-3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥82.22140 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥82.22140 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH ISOPLUS247 | ¥4.67891 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.67891 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-89 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥7.86579 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.86579 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 21A(Tc) 最大功耗: 208W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥17.84651 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥17.84651 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Tc) 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) | ¥12.02321 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.02321 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Ta) 最大功耗: 1.65W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-2 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥5.35975 | 2039 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,181.41662 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 90A (Tc) 最大功耗: 63W (Tc) 供应商设备包装: PG-TDSON-8-34 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥51.01899 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.01899 | 添加到BOM 立即询价 | ||
MOSFET N-CH ISOPLUS247 | ¥63.53472 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥63.53472 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.88814 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.88814 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 350伏 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: SOT-89 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥21.06235 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.06235 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.7A(Ta) 最大功耗: 1.08W(Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥73.60235 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.60235 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥230.51254 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥230.51254 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥4.22985 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.22985 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 26A(Ta) 最大功耗: 1.65W(Ta),50W(Tc) 供应商设备包装: TO-263-2 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥13.13862 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥13.13862 | 添加到BOM 立即询价 | ||
AUIRF7379Q - 30V-55V DUAL N AND | ¥19.52686 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.52686 | 添加到BOM 立即询价 |