分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.6A (Tc) 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥31.62250 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥31.62250 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta),25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3SG 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.99760 | 0 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥4.99760 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.98168 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.98168 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 8.4A (Tc) 最大功耗: 27W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥66.30151 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥66.30151 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 360W (Tc) 供应商设备包装: TO-264AA (IXFK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥22.61233 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥22.61233 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥79.02004 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.02004 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 19A(Ta)、74A(Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、32W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFET平方 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥37.21402 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.21402 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 180毫安(Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥21.90253 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥21.90253 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 80 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 70A (Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 140W (Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥37.88037 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥37.88037 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥73.50047 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥73.50047 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.5A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥5.17143 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥5.17143 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Ta) 最大功耗: 2W(Ta),25W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3SG 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥4.20088 | 721 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,167.65511 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A(Ta) 最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥19.72966 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥19.72966 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 144W(Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥7.66299 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.66299 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 72A (Tc) 最大功耗: 360W (Tc) 供应商设备包装: TO-264AA (IXFK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.66491 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.66491 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 18A(Tc) 最大功耗: 3.1W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥51.56945 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥51.56945 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥12.80545 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥12.80545 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 32A (Ta), 160A (Tc) 最大功耗: 2.1W(Ta)、54W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFETMX 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.99808 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.99808 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.1A (Ta) 最大功耗: 2.2W(Ta) 供应商设备包装: 4-FlipFet 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥75.61588 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.61588 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 125W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO262-3-1 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.57799 | 9000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3.57799 | 添加到BOM 立即询价 |