9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFK14N100Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFK14N100Q参考价格为3.122美元。IXYS IXFK14N100Q封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 14A TO264AA。您可以下载IXFK14N100Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFK14N100Q价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFK140N30P是MOSFET N-CH 300V 140A TO-264，包括HiPerFET？，PolarP2？系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及to-264-3、to-264AA封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-264AA（IXFK），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1040W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为300V，输入电容Cis-Vds为14800pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为140A（Tc），最大Id Vgs的Rds为24 mOhm@70A，10V，Vgs的最大Id为5V@8mA，栅极电荷Qg Vgs为185nC@10V，Pd功耗为1040W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为30ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为140A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-漏极电阻为24m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为100ns，典型导通延迟时间为30s，沟道模式为增强。
IXFK140N25T是MOSFET N-CH 250V 140A TO264，包括5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于250 V，提供单位重量功能，如0.352740 oz，典型开启延迟时间设计为33 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以GigaMOS商品名提供，该器件具有技术硅，系列为IXFK140N25，上升时间为29 ns，漏极-源极电阻Rds为17 mOhm，Qg栅极电荷为255 nC，Pd功耗为960 W，封装为管，封装外壳为TO-264-3，沟道数量为1沟道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为140 A，正向跨导最小值为80 S，下降时间为22 ns，信道模式为增强型。
带有电路图的IXFK120N65X2，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于12 ns，提供最小正向跨导特性，如46 S，Id连续漏极电流设计为工作在120 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装方式为通孔，器件提供1个通道数量的通道，器件具有TO-264-3封装盒，封装为管，Pd功耗为1.25 kW，Qg栅极电荷为225 nC，Rds漏极-源极电阻为24 mOhms，上升时间为23 ns，技术为Si，商品名为HiPerFET，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为64ns，单位重量为0.264555oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为2.7V。
IXFK140N20P是MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds，包括管封装，它们设计为与to-264-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFK140N2 0系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有90 ns的下降时间，Pd功耗为830 W，上升时间为35 ns，典型开启延迟时间为30 ns，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，Vgs栅极-源极电压为20 V，Rds漏极源极电阻为18 mOhm，典型关断延迟时间为150 ns，Id连续漏电流为140 A，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.352740 oz，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C。
