9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT74N20Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT74N20Q价格参考1.886美元。IXYS IXFT74N20Q封装/规格：MOSFET N-CH TO268。您可以下载IXFT74N20Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT70N20Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 200V/70A，包括IXFT70N2 0系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件以单配置提供，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为690 W，其最大工作温度范围为+150 C，下降时间为9 ns，上升时间为10 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为70 a，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为17ns，Qg栅极电荷为67nC，正向跨导最小值为32S，沟道模式为增强。
IXFT70N15是MOSFET N-CH 150V 70A TO-268，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于150 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计用于70 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT70N15系列，上升时间为52纳秒，漏极上的Rds源极电阻为28毫欧，Pd功耗为300瓦，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为70 A，下降时间为23 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT70N30Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A，包括单一配置，它们设计为以70A Id连续漏极电流运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供信道数功能，如1信道，封装外壳设计为在to-268-2中工作，该器件也可以用作830W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为98 nC，器件提供54 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有250 ns的上升时间，系列为IXFT70N30，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.229281 oz，Vds漏极源极击穿电压为300 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
