分立场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明和其他应用,其在承载大量电流的同时以高频开关的特性具有优势。它们几乎普遍用于需要几百伏或更低额定电压的应用,高于该电压的其他器件类型(例如 IGBT)将变得更具竞争力。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
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场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100毫安(Ta) 最大功耗: 100mW(Ta) 供应商设备包装: CST3 工作温度: 150摄氏度(TJ) | ¥0.38315 | 22 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.38315 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20A(Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.66587 | 7762 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Tc) 最大功耗: 2.5W(Ta),61W(Tc) 供应商设备包装: TO-252,(D-Pak) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥3.98360 | 8937 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.4A (Tc) 最大功耗: 33W (Tc) 供应商设备包装: TO-220F 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.67987 | 16033 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
P-CHANNEL MOSFET | ¥1.08644 | 24000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,122.89399 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 23A(Tc) 最大功耗: 140W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.28369 | 45 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥2.28369 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 3.8W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥5.34671 | 100 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥5.34671 | 立即购买 加入购物车 | ||
N-CHANNEL POWER MOSFET | ¥1.66587 | 4590 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,185.61750 | 添加到BOM 立即询价 | ||
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | ¥2.10044 | 12000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.85599 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 330毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta) 供应商设备包装: X2-DFN0806-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.96959 | 16950 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2.96959 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.3A (Ta) 最大功耗: 1.05W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: 150摄氏度 | ¥3.98360 | 8893 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,190.97725 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Tc) 最大功耗: 24W(Tc) 供应商设备包装: TO-220F-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥2.67987 | 14827 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 75A (Ta) 最大功耗: 166W(Ta) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.18688 | 2002 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,189.38381 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: MicroFet 1.6x1.6 Thin 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.08644 | 21625 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,239.14254 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 49A (Tc) 最大功耗: 94W(Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥1.46162 | 578 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥1.46162 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.3A (Ta) 最大功耗: 1.4W(Ta) 供应商设备包装: 3-PICOSTAR 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥7.53262 | 1646 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥7.53262 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A(Ta)、45A(Tc) 最大功耗: 90W (Tc) 供应商设备包装: D2PAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ) | ¥3.98360 | 5810 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,171.05928 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 680毫安 (Ta) 最大功耗: 360mW (Ta), 2.7W (Tc) 供应商设备包装: DFN1006B-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥0.54467 | 200 | 2-3 工作日 | - + 合计: ¥0.54467 | 立即购买 加入购物车 | ||
场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.3A (Ta) 最大功耗: 2.5W(Ta) 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥2.67987 | 14000 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,149.25815 | 添加到BOM 立即询价 | ||
场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 115毫安(Ta) 最大功耗: 200mW(Ta) 供应商设备包装: SOT-323 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ) | ¥1.44858 | 5350 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1.44858 | 添加到BOM 立即询价 |