9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDME0106NZT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDME0106NZT参考价格为0.15000美元。其他FDME0106NZT封装/规格：小信号N沟道MOSFET。您可以下载FDME0106NZT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDMD86100带有引脚细节，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.008818盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-PowerWDFN，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2通道数量的通道，该器件具有8功率5x6的供应商器件封装，配置为双重，FET类型为2 N通道（双重）公共源极，最大功率为2.2W，晶体管类型为2 N-通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为2060pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为10A，最大Id Vgs上的Rds为10.5 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为30nC@10V，Pd功耗为33 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.1 ns，上升时间为4.3ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为39A 39A，Vds漏极-源极击穿电压为100V 100V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds漏极源极导通电阻为10.5mOhms 10.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18ns，典型的开启延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为21nC，信道模式为增强。
FDMD8900带有用户指南，包括2.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在-4 mV/C Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于12 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如30 V，单位重量设计为在0.002903 oz下工作，以及8.7 ns典型开启延迟时间，该装置也可以用作25ns典型关断延迟时间。此外，晶体管类型为2 N沟道，该器件提供N沟道晶体管极性，该器件具有技术硅，供应商器件封装为12-Power3.3x5，上升时间为2.3 ns，Rds On Max Id Vgs为4 mOhm@19A，10V，漏极-源极电阻为3.4 mOhm，Qg栅极电荷为25 nC，最大功率为2.1W，Pd功耗为2.1W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为12 PowerWDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围-55°C，其最大工作温度范围为+150℃，输入电容Cis-Vds为2605pF@15V，Id连续漏极电流为66 A，栅极电荷Qg-Vgs为35nC@10V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为标准，下降时间为2.4 ns，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为19A，17A。
FDMD8580带有电路图，包括16A（Ta）、82A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于80V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如2N通道（双通道），栅极电荷Qg Vgs设计用于80nC@10V，以及5875pF@40V输入电容Cis Vds，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，封装为交替封装，该器件提供2.3W最大功率，该器件具有4.6mOhm@16A，10V Rds On Max Id Vgs，系列为PowerTrenchR，Vgs th Max Id为4.5V@250μa。
